[发明专利]在片薄膜铂电阻温度传感器的标定方法

权利要求书

1.在片薄膜铂电阻温度传感器的标定方法，其特征在于，基于高低温探针台，包括以下步骤：

将片薄膜铂电阻温度传感器放置于控温平台中心位置的真空吸附孔，对在片薄膜铂电阻温度传感器进行吸附固定；

将控温平台推进微室，粗调四根直流探针的位置，使每两根直流探针压于一个PAD压点；

通过显微镜观察直流探针的位置并进行微调，使直流探针与PAD压点接触良好；

将与一个PAD压点接触的两根直流探针的测试引线分别连接至数字多用表的两个Hi插孔，另外两根直流探针的测试引线分别连接至数字多用表的两个Lo插孔；

打开数字多用表及高低温探针台的电源，进行预热；

将高低温探针台调整至设定温度，通过数字多用表读取在片薄膜铂电阻温度传感器在该温度环境条件下的电阻值；

调整高低温探针台的设定温度，根据公式计算不同温度条件下的片薄膜铂电阻温度传感器的电阻温度系数，所述公式为：

根据计算的电阻温度系数，利用公式(2)，即可计算该在片薄膜铂电阻温度传感器对应设定温度的实际温度。

2.如权利要求1所述的在片薄膜铂电阻温度传感器的标定方法，其特征在于：所述设定温度范围为-55℃-150℃，在该设定温度范围内，按照一定的间隔，选取若干不同的设定温度，测量对应的电阻值，然后将相邻的两个设定温度值及对应的电阻值代入公式(2)，即可计算相邻的两个设定温度范围的电阻温度系数，然后将计算得到的电阻温度系数、测量的两个电阻值及其中的一个设定温度代入公式(2)，即可计算在片薄膜铂电阻温度传感器另一个设定温度的实际温度。

3.如权利要求2所述的在片薄膜铂电阻温度传感器的标定方法，其特征在于：所述选取若干不同的设定温度，相邻的设定温度之间相差25℃或30℃，测量对应区间的两端的设定温度对应的电阻值，代入公式(2)，求得该区间对应的电阻温度系数，然后利用该电阻温度系数，即可获得该区间内任意设定温度的实际温度。

4.如权利要求3所述的在片薄膜铂电阻温度传感器的标定方法，其特征在于：当设定温度T11为-55℃，测得电阻值为R11，设定温度T12为-25℃，测得电阻值为R12，利用公式(2)，计算出电阻温度系数，记为TCR1，再利用公式(2)，代入T11、R11、R12和TCR1，即可求得设定温度为T12时，在片薄膜铂电阻温度传感器的实际温度，同理可求得设定温度为T11时的实际温度。

5.如权利要求4所述的在片薄膜铂电阻温度传感器的标定方法，其特征在于：当设定温度T12为-25℃，测得电阻值为R12，设定温度T13为0℃，测得电阻值为R13，利用公式(2)，计算出电阻温度系数，记为TCR2，再利用公式(2)，代入T12、R12、R13和TCR1，即可求得设定温度为T13时，在片薄膜铂电阻温度传感器的实际温度。

6.如权利要求5所述的在片薄膜铂电阻温度传感器的标定方法，其特征在于：当设定温度Tn-1为125℃，测得电阻值为Rn-1，设定温度Tn为150℃，测得电阻值为Rn，利用公式(2)，计算出电阻温度系数，记为TCRn-1，再利用公式(2)，代入Tn-1、Rn-1、Rn和TCRn-1，即可求得设定温度为Tn时，在片薄膜铂电阻温度传感器的实际温度，其中，各区间测得的电阻温度系数值顺次递减。

7.如权利要求1所述的在片薄膜铂电阻温度传感器的标定方法，其特征在于：所述数字多用表为七位半或八位半数字多用表。