[发明专利]一种金属半导体场效应晶体管

权利要求书

1.一种金属半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：

衬底层；

第一缓冲层，所述第一缓冲层设置于所述沉底层上；

第二缓冲层，所述第二缓冲层设置于所述第一缓冲层上；

外延层；设置于所述第二缓冲层上；

沟道层；设置于所述外延层上；

第三缓冲层；设置于所述沟道层；

电极层；所述电极层包括源电极层、栅电极层和漏电极层；所述源电极层包括源电极和源极帽层，所述源极帽层设置于所述沟道层上，且源电极设置于所述源极帽层上；所述栅电极层包括栅电极和所述第三缓冲层，所述栅电极设置于所述第三缓冲层上；所述漏电极层包括漏电极和漏极帽层，所述漏极帽层设置于所述沟道层上，所述漏电极设置于所述漏极帽层上；

所述栅电极层和所述源电极层、所述漏电极层之间设置有凹槽。

2.根据权利要求1所述的金属半导体场效应晶体管，其特征在于，所述第一缓冲层的材质为Al_xIn_yGa_1-x-yN，其中，x≥0，y≥0，1≥x+y≥0。

3.根据权利要求2所述的金属半导体场效应晶体管，其特征在于，所述第二缓冲层的材质为未掺杂的GaN。

4.根据权利要求3所述的金属半导体场效应晶体管，其特征在于，所述外延层的材质为掺杂Al或In的GaN。

5.根据权利要求4所述的金属半导体场效应晶体管，其特征在于，所述第三缓冲层的材质为掺杂Al或In的GaN，所述第三缓冲层的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度。

6.根据权利要求5所述的金属半导体场效应晶体管，其特征在于，所述第一缓冲层的厚度为

7.根据权利要求6所述的金属半导体场效应晶体管，其特征在于，所述第二缓冲层的厚度为

8.根据权利要求7所述的金属半导体场效应晶体管，其特征在于，所述源极帽层和所述漏极帽层的材质由所述第三缓冲层的材质注入磷离子形成。

9.根据权利要求8所述的金属半导体场效应晶体管，其特征在于，所述磷离子的注入剂量为1.5×10¹⁸cm^-2，注入能量为20KeV。