[发明专利]提高电子器件在高频频段内的抑制度或隔离度的结构和方法

权利要求书

1.一种用于滤波器的封装载板，包括：

多个导电层；

设置在导电层之间的介质层；和

绕线电感，绕线电感的一端适于与对应滤波器电连接，绕线电感的另一端电连接多个导电层中的底层导电层；

其中：

所述封装载板在绕线电感限定的闭合区域或者半闭合区域内，设置有通孔，所述通孔内设置有导体柱，所述导体柱的一端电连接底层导电层，且所述导体柱与所述绕线电感间隔开以形成电容。

2.根据权利要求1所述的封装载板，其中：

所述导体柱在封装载板的厚度方向上延伸穿过所述绕线电感所在的至少一个导电层。

3.根据权利要求1或2所述的封装载板，其中：

所述封装载板适于封装至少两个滤波器。

4.根据权利要求1或2所述的封装载板，其中：

所述滤波器为FBAR滤波器。

5.根据权利要求1或2所述的封装载板，其中：

所述电容的容值在1nF-100nF的范围内。

6.一种滤波器组件，包括：

滤波器，所述滤波器具有并联支路，所述并联支路上串接有并联谐振器以及接地电感；

封装载板，具有多个导电层，导电层之间设置有介质层，

其中：

所述接地电感为设置在封装载板中的绕线电感；

所述封装载板中还设置有穿过电感限定的闭合区域或者半闭合区域的导体柱，所述导体柱一端接地，且所述导体柱与所述绕线电感间隔开以形成电容。

7.根据权利要求6所述的滤波器组件，其中：

所述滤波器为FBAR滤波器。

8.根据权利要求6或7所述的滤波器组件，其中：

所述电容的容值在1nF-100nF的范围内。

9.一种滤波器，包括：

并联支路，所述并联支路上串接有并联谐振器以及接地电感，

其中：所述接地电感为绕线电感；且所述滤波器还包括与所述绕线电感并联的电容。

10.根据权利要求9所述的滤波器，其中：

所述电容的容值在1nF-100nF的范围内。

11.一种提升双工器或多工器在高频频段内的抑制度的方法，所述多工器或者双工器包括设置在封装载板上的多个滤波器，所述滤波器具有并联支路，所述并联支路上串接有并联谐振器以及接地电感，

所述方法包括步骤：在至少一个滤波器的接地电感并联连接电容。

12.根据权利要求11所述的方法，其中：

所述封装载板包括：多个导电层，设置在导电层之间的介质层，以及绕线电感，绕线电感的一端适于与对应滤波器电连接，绕线电感的另一端电连接多个导电层中的底层导电层；且

“在至少一个滤波器的接地电感并联连接电容”包括在绕线电感限定的闭合区域或者半闭合区域内，设置导体柱，所述导体柱的一端电连接底层导电层，且所述导体柱与所述绕线电感间隔开以形成所述电容。

13.根据权利要求11或12所述的方法，其中：

所述多工器或者双工器为FBAR多工器或者FBAR双工器。

14.根据权利要求11或12所述的方法，其中：

所述电容的容值在1nF-100nF的范围内。

15.一种电子设备，包括根据权利要求1-5中任一项所述的封装载板，或者包括根据权利要求6-8中任一项所述的滤波器组件，或者包括根据权利要求9或10所述的滤波器。

16.根据权利要求15所述的电子设备，其中：

所述电子设备为双工器或者多工器。