[发明专利]一种氟化铝晶体颗粒的制备方法和应用在审
| 申请号： | 201811552222.9 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109576782A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 彭程;孙静;石志霞;张恒;张碧田;段华英 | 申请（专利权）人： | 有研工程技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/12;C23C14/06;C23C14/24 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 陈波 |
| 地址： | 101407 北京市怀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 密封坩埚 氟化铝 晶体颗粒 氟化铝粉 位于炉体 高纯 无水 制备方法和应用 真空加热 加热 光学镀膜材料 制备技术领域 真空加热炉 白色晶体 镀膜过程 隔热材料 化工材料 颜色均一 蒸汽冷凝 加热区 隔开 可用 内置 喷料 坩埚 冷却 升华 生长 | ||
1.一种氟化铝晶体颗粒的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将高纯无水氟化铝粉体置于坩埚中，密封坩埚；
(2)利用真空加热炉对所述密封坩埚真空加热，所述密封坩埚内置有高纯无水氟化铝粉体的部分位于炉体加热区内，密封坩埚顶部位于炉体加热区外，并利用隔热材料将密封坩埚位于炉体加热区内、外的两部分隔开；
(3)开始真空加热，密封坩埚内高纯无水氟化铝粉体升华，密封坩埚顶部的氟化铝蒸汽冷凝结晶，同时氟化铝晶体颗粒不断生长，冷却后制得所述氟化铝晶体颗粒。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述坩埚材料为不与氟化铝反应的材料。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述坩埚材料为石墨、钨、钼、钽或铌。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述密封坩埚顶部高出炉体加热区5～30cm。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述密封坩埚顶部高出炉体加热区10～20cm。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述真空加热炉为真空碳管炉或真空感应炉。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述真空加热的真空度为0.01～100Pa，升温时间为1～10小时，加热温度为900～1300℃，保温时间为1～10小时。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述真空加热的真空度为0.1～20Pa，升温时间为2～5小时，加热温度为1000～1200℃，保温时间为2～5小时。
9.一种权利要求1～8任一项所述制备方法制备的氟化铝晶体颗粒在镀膜中的应用，其特征在于，以所述氟化铝晶体颗粒为镀膜材料，镀膜过程无喷料。
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