[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

公开了半导体器件及其制造方法。从衬底部分地刻蚀支撑层和模层，以在衬底上形成模制图案和支撑图案，使得接触孔穿过支撑图案和模制图案而形成，并且互连件通过接触孔而被暴露。在掩模图案上形成下电极层，以填充接触孔，并且通过部分地去除下电极层和掩模图案而形成接触孔中的下电极。下电极与互连件接触并由具有与支撑层相同厚度的支撑图案支撑。

相关申请的交叉引用

本申请要求2017年12月22日提交给韩国知识产权局的第10-2017-0177712号韩国专利申请和2018年6月27日提交的第10-2018-0073791号、题为“半导体器件及其制造方法”韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

示例实施例涉及半导体器件及其制造方法，更具体地，涉及具有电容器的动态随机存取存储器(DRAM)器件及其制造方法。

背景技术

最近的DRAM器件倾向于需要高性能和操作速度以及小尺寸。因此，DRAM器件的电容器的下电极可以形成得尽可能的高，以便增加在有限尺寸的硅衬底上的电容器的电容。

发明内容

根据示例性实施例，提供一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底的整个表面上顺序地形成模层、支撑层和掩模图案，所述衬底具有由核心区域限定的单元区域，下导电结构和与所述下导电结构接触的至少一个互连件位于所述模层下面的所述衬底的单元区域上；通过使用掩模图案作为刻蚀掩模的刻蚀处理来部分地去除所述支撑层和所述模层，以形成模制图案和所述模制图案上的支撑图案，使得接触孔穿过所述支撑图案和所述模制图案而形成，从而暴露所述单元区域中的所述至少一个互连件；在所述掩模图案上形成下电极层，以填充所述接触孔，使得下电极层与所述互连件在所述接触孔中接触；通过部分地去除所述下电极层并去除所述掩模图案来形成所述接触孔中的电容器的下电极，使得所述下电极由所述支撑图案支撑，所述支撑图案具有与所述支撑层实质相同的厚度。

根据示例性实施例，提供一种制造半导体器件的方法。可以在衬底的整个表面上顺序地形成不含硼的模层、支撑层和掩模图案，所述衬底具有由核心区域限定的单元区域，并且至少一个下导电结构和与所述至少一个下导电结构接触的至少一个互连件可以位于单元区域上。可以通过使用掩模图案作为刻蚀掩模的刻蚀处理来部分地从所述衬底去除所述支撑层和所述模层，从而形成模制图案和所述模制图案上的支撑图案，使得接触孔可以穿过所述支撑图案和所述模制图案而形成，并且所述互连件可以通过所述单元区域中的接触孔而暴露。然后，可以通过自由基干洗处理从所述支撑图案上去除所述掩模图案，而不会对支撑图案造成任何实质损坏，可以在所述支撑图案上形成下电极层达到填充接触孔的厚度。在不会对支撑图案造成任何实质损坏的情况下，通过部分地去除所述下电极层，形成与所述接触孔中的互连件接触的电容器的下电极。

根据示例性实施例，提供一种半导体器件，包括：衬底、位于所述衬底上的存储器单元结构、连接到所述存储器单元结构的互连件、以及连接到互连件并选择性地存储电荷的电荷存储结构。在这种情况下，所述电荷存储结构可以包括：下电极，其连接到所述互连件并由至少一个支撑件支撑，所述下电极从所述支撑件突出；电介质层，其位于所述下电极的上表面和侧表面上以及所述支撑件的上表面上；以及上电极，其位于所述电介质层上。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域普通技术人员将变得显而易见，其中：

图1A至1J示出了根据实施例的形成用于半导体器件的电容器的方法中的各阶段的截面图；

图2A至图2C示出了根据实施例的形成电容器的改进方法中的各阶段的截面图；

图3A至图3D示出了根据实施例的形成电容器的另一种改进方法中的各阶段的截面图；

图4A至图4F示出了根据实施例的形成电容器的又一改进方法中的各阶段的截面图；