[发明专利]一种氮化硅结合碳化硅砖及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201811553011.7 申请日: 2018-12-18
公开(公告)号: CN109503171A 公开(公告)日: 2019-03-22
发明(设计)人: 钱亚杰;傅华;许荣德;孙旭强;殷俊 申请(专利权)人: 宜兴高等职业技术学校
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/634;C04B35/64
代理公司: 宜兴市天宇知识产权事务所(普通合伙) 32208 代理人: 蒋何栋
地址: 214206 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 氮化硅结合碳化硅砖 碳化硅 制备 木质素磺酸钙 加热时间段 碳化硅细粉 配方设计 重量份数 金属硅 苏州土 融合 配合
【权利要求书】:

1.一种氮化硅结合碳化硅砖,其特征在于,包括以下重量份数的组分:70~80份的碳化硅,15~20份的碳化硅细粉,2~8份的金属硅,1~5份的苏州土,1~3份的木质素磺酸钙。

2.根据权利要求1所述的氮化硅结合碳化硅砖,其特征在于,所述碳化硅细粉细度不大于100μm。

3.制备权利要求1所述氮化硅结合碳化硅砖的方法,其特征在于,包括:按配方量取各原料,将碳化硅,碳化硅细粉,金属硅混匀后形成混合粉料备用;将苏州土,木质素磺酸钙混匀,加入总质量3wt%的水,混匀,再将混匀的混合粉料加入混合,振动压机成型,350℃充分烘干,氮气气氛下加压烧成。

4.根据权利要求3所述制备氮化硅结合碳化硅砖的方法,其特征在于,所述氮气气氛下加压烧成包括将烘干后的半成品导入窑炉进行升温,控制升温时间14~18小时,温度升至600℃;继续升温并抽真空,控制时间1~2小时,温度升至700℃;继续升温并冲氮气控制窑内压力不小于1.5个大气压,控制时间8~10小时,温度升至1000℃;继续升温,控制时间8~10小时,温度升至1350℃;当温度到达1350℃时进行2~4小时的保温。

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