[发明专利]基于全局噪声抵消的低噪声放大器及其方法

权利要求书

1.一种基于全局噪声抵消的方法，低噪声放大器电路为双支路结构，其特征在于：所述低噪声放大器电路，具有结构相同、且完全对称的结构；每一支路，均由一个共栅极输入级和带有电阻反馈的共源极放大级电路构成；信号从两个共栅极的源极输入，分别经过两个支路后，在两个共源极的漏极输出；每一支路中的有源器件，其两端形成的噪声均沿两个支路、不同方向，分别到达输出节点，利用在输出节点的反相关系而相加实现抵消。

2.根据权利要求1所述的基于全局噪声抵消的方法，其特征在于：在低噪声放大器电路每一支路中，共栅极输入级的漏极连接所述带电阻反馈的共源极放大级的栅极；所述的带有电阻反馈的共源极放大级，由一个NMOS管，一个PMOS管和一个电阻连接而成；NMOS管与PMOS管呈反相器结构连接，NMOS管与PMOS管的漏极均连接至输出节点；所述的电阻，在NMOS管与PMOS管的漏极和栅极之间形成一个前向反馈。

3.根据权利要求2所述的基于全局噪声抵消的方法，其特征在于：在低噪声放大器电路每一支路中，其共栅极输入级的源极与漏极的噪声反相；漏极噪声到达输出节点时，经过共源极被反相一次；源极噪声到达输出节点时，经过另一支路的共源极被反相一次；源极噪声与漏极噪声分别到达输出节点时仍是反相的，相加后实现抵消。

4.根据权利要求2所述的基于全局噪声抵消的方法，其特征在于：在低噪声放大器电路每一支路中，所述带电阻反馈的共源极放大级，其漏极和栅极的噪声同相；漏极噪声直接传输至输出节点；栅极噪声先后经过两个支路后，只被一个支路的共源极反相一次；漏极噪声与栅极噪声分别到达输出节点时呈反相，相加后实现抵消。

5.根据权利要求1至4任一项所述的基于全局噪声抵消方法的一种低噪声放大器，具有双支路电路结构，其特征在于：两个支路结构相同、且完全对称；每一支路，均由一个共栅极输入级和带有电阻反馈的共源极放大级电路构成；两个所述共栅极的源极作为信号输入端，两个所述带有电阻反馈的共源极放大级电路的漏极作为信号输出节点。

6.根据权利要求5所述的基于全局噪声抵消方法的低噪声放大器，其特征在于：在每一支路中，共栅极输入级的漏极连接所述带电阻反馈的共源极放大级的栅极；所述的带有电阻反馈的共源极放大级，由一个NMOS管，一个PMOS管和一个电阻连接而成；NMOS管与PMOS管呈反相器结构连接，NMOS管与PMOS管的漏极均连接至输出节点；所述的电阻，在NMOS管与PMOS管的漏极和栅极之间形成一个前向反馈。