[发明专利]一种FDSOI形成方法

权利要求书

1.一种FDSOI形成方法，其特征在于，包括：

S1：提供内层埋氧化层；

S2：使用沉积的方式在所述内层埋氧化层的顶层和底层生长一层保护层，其中所述保护层包括位于内层埋氧化层顶层的表层硅和位于内层埋氧化层底层的基地硅；

S3：在光刻机中，在部分所述表层硅上旋涂光刻胶，形成光刻胶层，然后进行光刻工艺；

S4：进行蚀刻工艺，在蚀刻机中，以所述光刻胶层为掩模层蚀刻掉部分所述表层硅和所述内层埋氧化层，然后进行去除光刻胶工艺；

S5：牺牲层堆积工艺，在蚀刻机中堆积牺牲层，堆积的所述牺牲层覆盖所述基地硅的上表面、所述表层硅的上表面以及位于所述基地硅的上表面与所述表层硅的上表面之间的表层硅的侧表面；

S6：牺牲层蚀刻工艺，在蚀刻机中，蚀刻掉堆积在所述基地硅的上表面和所述表层硅的上表面的所述牺牲层，保留覆盖在位于所述基地硅的上表面与所述表层硅的上表面之间的表层硅的侧表面的所述牺牲层，形成牺牲侧墙层；以及

S7：硅外延生长工艺，使用硅外延生长的方式，在所述基地硅的上表面生长外延硅。

2.根据权利要求1所述的FDSOI形成方法，其特征在于，所述表层硅和所述基地硅位于所述内层埋氧化层的两相对侧。

3.根据权利要求1所述的FDSOI形成方法，其特征在于，所述保护层为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或碳氧化硅。

4.根据权利要求1所述的FDSOI形成方法，其特征在于，S4中所述去除光刻胶工艺为采用蚀刻气体，在蚀刻压强处在10-500mT之间下进行；蚀刻气体为氢气、氧气、氮气、二氧化碳或六氟化硫(SF6)。

5.根据权利要求1所述的FDSOI形成方法，其特征在于，所述基地硅和所述表层硅的上表面为所述基地硅和所述表层硅远离所述基地硅的一侧的表面。

6.根据权利要求1所述的FDSOI形成方法，其特征在于，堆积有牺牲层的表层硅的所述侧表面为所述表层硅的位于所述表层硅的上表面与所述基地硅的上表面之间的表层硅的侧表面。

7.根据权利要求1所述的FDSOI形成方法，其特征在于，S5中所述牺牲层堆积工艺，在蚀刻压强处在10-500mT之间下进行；所述牺牲层堆积过程中的蚀刻气体为四氟化碳(CF4)、O2、氩气(Ar)、H2、甲烷(CH4)或SO2。

8.根据权利要求1所述的FDSOI形成方法，其特征在于，步骤S3、步骤S4、步骤S5和步骤S6在同一蚀刻机中进行。

9.根据权利要求1所述的FDSOI形成方法，其特征在于，步骤S4中的蚀刻工艺为干法蚀刻工艺。

10.根据权利要求1所述的FDSOI形成方法，其特征在于，该方法应用在40纳米及以下集成电路加工工艺中。