[发明专利]一种用于降低CVD合成金刚石杂质含量的方法

权利要求书

1.一种用于降低CVD合成金刚石杂质含量的方法，其特征在于，在衬底上设置多晶金刚石镀层，利用金刚石覆盖衬底以防止衬底发生刻蚀导致杂质原子的引入；

所述多晶金刚石镀层上设有若干的凹孔，所述凹孔贯穿多晶金刚石镀层，金刚石籽晶固定嵌入在凹孔内并与多晶金刚石镀层共同作用，多晶金刚石镀层与金刚石籽晶共同组成一个完整的金刚石覆盖层，进而覆盖住衬底；

具体包括以下步骤：

B1、打开CVD反应腔，在基板台上的衬底上放置若干掩模材料；

B2、开启CVD合成设备，在衬底上沉积多晶金刚石镀层；

B3、当多晶金刚石镀层的厚度达到设定值后，关闭CVD设备并打开CVD反应腔，取出掩模材料，此时在取出掩模材料的位置形成凹孔，将金刚石籽晶放至凹孔内，随后开启CVD合成设备；

B4、在金刚石籽晶上进行金刚石生长；

步骤B1中，所述衬底设在基板台的顶部，所述基板台的顶部设有若干导热棒，所述衬底通过导热棒支撑设在基板台上，所述导热棒的截面为多边形结构；

各导热棒的长度相等，若干导热棒在基板台的顶部构成几何对称的结构；

当导热棒的数量为三根时，将三根导热棒摆放成正三角形结构或六边形结构中相隔的三条边；当导热棒的数量为四根时，将四根导热棒摆放成正方形结构或八边形结构中相隔的四条边；当导热棒的数量为五根、六根或更多时，其摆放原理与三根、四根时相同，多个导热棒所摆放形成的几何对称结构的具体形式，根据导热棒的数量与长度来调整；

导热棒与基板台、衬底之间均不具有任何的固定结构；使得工作人员能够更加方便的改变导热棒的数量，进而改变基板台与衬底之间的热传导率。

2.根据权利要求1所述用于降低CVD合成金刚石杂质含量的方法，其特征在于，所述导热棒由钼或钨或陶瓷制成。

3.根据权利要求1所述用于降低CVD合成金刚石杂质含量的方法，其特征在于，步骤B1中，所述基板台内设有冷凝腔、进液通道与出液通道，所述冷凝腔位于基板台内靠近基板台顶端的位置，所述冷凝腔分别通过回路管与进液通道、出液通道连通。

4.根据权利要求3所述用于降低CVD合成金刚石杂质含量的方法，其特征在于，所述冷凝腔顶部设有若干沟槽以用于增加冷凝介质与基板台的接触面积。

5.根据权利要求1所述用于降低CVD合成金刚石杂质含量的方法，其特征在于，步骤B3中，所述设定 值为45～55微米。