[发明专利]一种可产生启动成功标志信号的带隙基准电路

说明书

本发明公开了一种可产生启动成功标志信号的带隙基准电路，其包括有带隙基准单元和电平转换电路，电平转换电路包括有PMOS管M6、PMOS管M7、NMOS管M8、NMOS管M9、NMOS管M10和NMOS管M11，PMOS管M6的源极和PMOS管M7的源极均连接于电源端VDD，PMOS管M6的栅极连接于开关控制结点Vbp，PMOS管M7的栅极连接于启动信号结点start，NMOS管M10的漏极、NMOS管M10的栅极和NMOS管M8的栅极均连接于PMOS管M7的漏极，NMOS管M11的漏极、NMOS管M11的栅极和NMOS管M9的栅极均连接于PMOS管M6的漏极，NMOS管M10的源极与NMOS管M9的漏极相连接，NMOS管M11的源极与NMOS管M8的漏极相连接，NMOS管M9的源极和NMOS管M8的源极均接地，PMOS管M6的漏极作为启动成功标志信号输出端VBPOK。本发明能够及时提供启动成功标志信号，进而提高电路性能。

技术领域

本发明涉及带隙基准电路，尤其涉及一种可产生启动成功标志信号的带隙基准电路。

背景技术

带隙基准电路被广泛用于各类CMOS集成电路中，其作用是产生一个不随环境温度、电源电压变化的恒定基准电压。当集成电路上电之后，各个子功能模块通常是逐次按照既定顺序启动的，其中带隙基准电路作为全局参考信号应首先启动，同时提供一个启动成功的标志信号，以通知后续子功能模块开始工作。但是，传统的带隙基准电路的缺点在于，缺少一个启动成功的标志信号，从而存在电路启动失败的风险。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足，提供一种能够及时提供启动成功标志信号，从而使集成电路各功能模块逐次有序启动的带隙基准电路。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案。

一种可产生启动成功标志信号的带隙基准电路，其包括有带隙基准单元和电平转换电路，所述电平转换电路包括有PMOS管M6、PMOS管M7、NMOS管M8、NMOS管M9、NMOS管M10和NMOS管M11，所述带隙基准单元包括有启动信号结点start、开关控制结点Vbp和基准电压输出端Vref，所述PMOS管M6的源极和PMOS管M7的源极均连接于电源端VDD，所述PMOS管M6的栅极连接于开关控制结点Vbp，所述PMOS管M7的栅极连接于启动信号结点start，所述NMOS管M10的漏极、所述NMOS管M10的栅极和所述NMOS管M8的栅极均连接于所述PMOS管M7的漏极，所述NMOS管M11的漏极、所述NMOS管M11的栅极和所述NMOS管M9的栅极均连接于所述PMOS管M6的漏极，所述NMOS管M10的源极与所述NMOS管M9的漏极相连接，所述NMOS管M11的源极与所述NMOS管M8的漏极相连接，所述NMOS管M9的源极和所述NMOS管M8的源极均接地，所述PMOS管M6的漏极作为启动成功标志信号输出端VBPOK。

优选地，包括有MOS电容器M18，所述MOS电容器M18的漏极和源极均接地，所述MOS电容器M18的栅极连接于启动信号结点start。

优选地，所述带隙基准单元是包括有运算放大器OP1的带隙基准电路。

优选地，所述带隙基准单元是不含有运算放大器的带隙基准电路。

本发明公开的可产生启动成功标志信号的带隙基准电路，在启动过程中，启动信号结点start从初始的低电位上升至接近电源电压VDD的电位值，同时开关控制结点Vbp从原来的VDD降至一个较低的电平值，该过程中，所述电平转换电路的输入信号经历了一次翻转，致使电平转换电路的输出信号可以从初始状态的低电平跳变至接近VDD的高电平，进而产生启动成功标志信号，有效保障了集成电路各功能模块逐次有序启动。

附图说明

图1为本发明一个实施例中带隙基准电路的原理图；

图2为本发明另一实施例中带隙基准电路的原理图。

具体实施方式