[发明专利]一种毫米波电路结构以及具有该电路结构毫米波放大器在审
| 申请号： | 201811555024.8 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109600119A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 宋柏;刘秋实;章圣长;吴沁阳;唐攀;陈小浪 | 申请（专利权）人： | 成都瑞迪威科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F3/195;H03F3/213;H03F3/24 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 苏丹 |
| 地址： | 610000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 毫米波放大器 毫米波电路 电路结构 工作频带 输出功率 电容 三极管 毫米波功率放大器 放大器 目标频带信号 目标频率信号 电感 单芯片集成 毫米波 并联电容 串联电感 放大器件 雷达通信 滤波效应 目标频率 旁路电路 信号抑制 支路并联 直流功耗 微带线 吸收带 凹陷 串联 微波 电路 芯片 占用 供电 输出 应用 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种毫米波电路结构，其特征在于：包含三极管，所述三极管的供电支路上串联有电感或微带线后，在到地的支路并联电容，通过串联电感后并联电容到地的旁路电路所形成凹陷滤波效应，即形成限波结构，吸收带外目标频率信号，达到放大器输出时工作频带信号与带外目标频带信号间具有抑制度，通过调节电容的容值，达到对特定频率的信号抑制。
2.根据权利要求1所述的一种毫米波电路结构，其特征在于：所述三极管为PHEMT、MESFET、HEMT、BJT、HBT、JFET或HFET。
3.根据权利要求1所述的一种毫米波电路结构，其特征在于：所述电容为MIM电容。
4.一种具有该电路结构的毫米波放大器，其特征在于：包括具有陷波电路结构的两级放大器，在每一级放大器的供电支路的扼流电路与去耦电路之间加入所述毫米波电路结构。
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