[发明专利]扫描电子显微镜校准图形样片及制备方法在审

专利信息
申请号: 201811555401.8 申请日: 2018-12-19
公开(公告)号: CN109444472A 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 李锁印;赵琳;梁法国;韩志国;许晓青;冯亚南;张晓东;吴爱华 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
主分类号: G01Q30/20 分类号: G01Q30/20;G01Q30/02
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人: 郝伟
地址: 050051 河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 校准图形 扫描电子显微镜 仪器放大 寻迹 标志图形 校准 基板 制备 测量 半导体技术领域 仪器工作状态 扫描电镜 保证
【权利要求书】:

1.扫描电子显微镜校准图形样片,其特征在于,包括:

基板;

仪器放大倍率校准图形,设置于所述基板上,用于对图形进行校准;

快速寻迹标志图形,设置于所述仪器放大倍率校准图形的旁侧,用于寻迹所述仪器放大倍率校准图形。

2.如权利要求1所述的扫描电子显微镜校准图形样片,其特征在于,所述仪器放大倍率校准图形包括:

光栅结构,包括若干个顺次排列的光栅单元,每个所述光栅单元均具有多条明暗相间周期排列的栅条,每个所述光栅单元的旁侧对应设有一所述快速寻迹标志图形;和

格栅结构,所述格栅结构的旁侧对应设有一所述快速寻迹标志图形。

3.如权利要求2所述的扫描电子显微镜校准图形样片,其特征在于,所述光栅单元中明暗栅条的结构为:明栅条凸起在所述基板上,暗栅条为相邻两个明栅条之间形成的凹槽,其中,一明一暗为一个周期,每个周期尺寸的范围为100nm-10μm。

4.如权利要求3所述的扫描电子显微镜校准图形样片,其特征在于,所述光栅结构的周期尺寸范围为100nm-500nm时,校准图形的有效加工尺寸为100μm×100μm;周期尺寸范围为1μm-10μm时,校准图形的有效加工尺寸为1mm×1mm。

5.如权利要求2所述的扫描电子显微镜校准图形样片,其特征在于,每个所述光栅单元最外侧的两条明栅条用作被标记的栅条,所述用作被标记的栅条的长度长于其他的栅条的长度。

6.如权利要求2-5任一项所述的扫描电子显微镜校准图形样片,其特征在于,所述光栅结构包括X向光栅结构和Y向光栅结构,其中,所述X向光栅结构的栅条的长度方向与坐标轴中X方向垂直,所述Y向光栅结构的栅条的长度方向与坐标轴中Y方向垂直。

7.如权利要求2所述的扫描电子显微镜校准图形样片,其特征在于,所述格栅结构的上下左右分别设有一个所述快速寻迹标志图形。

8.如权利要求2所述的扫描电子显微镜校准图形样片,其特征在于,所述格栅结构中的栅格为设置于所述基板上的凹凸相间的槽,周期尺寸范围为2μm-10μm,校准图形的有效加工尺寸为1mm×1mm。

9.如权利要求1所述的扫描电子显微镜校准图形样片,其特征在于,所述快速寻迹标志图形为三角形结构,所述三角形的一个顶角指向所述仪器放大倍率校准图形。

10.如权利要求1-9任一项所述的扫描电子显微镜校准图形样片的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

材料准备:采用双面抛光的硅片作为衬底,硅片的晶相为100,使用电子清洗剂、去离子水超声清洗10min-20min,之后甩干10min-20min;

淀积:使用PECVD工艺淀积氮化硅层;

涂胶:在硅片表面涂光刻胶,在100℃-120℃温度下烘烤1min-5min;

光刻:使用电子束光刻或投影光刻制作图形;

曝光显影:显影80s-120s,定影40s-60s,去除透光区的光刻胶;

刻蚀:使用干法刻蚀进行刻蚀,将没有光刻胶掩蔽的线距区域的氮化硅层刻蚀掉;

去胶:去除光刻胶。

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