[发明专利]显示面板有效
申请号: | 201811555431.9 | 申请日: | 2018-12-18 |
公开(公告)号: | CN109742100B | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 李文齐;陈彩琴 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06F3/041 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
基板;
阴极层,设置于所述基板上方,所述阴极层上形成有第一间隙;
触控功能层,至少一个触控功能层未设置于所述阴极层远离所述基板一侧,所述触控功能层形成有触控构件,位于同一触控功能层的相邻触控构件形成有第二间隙;
其中,所述第二间隙与所述第一间隙满足预设条件,所述预设条件使得所述触控构件形成触控功能单元;所述显示面板还包括像素定义层,所述像素定义层之上设置有支撑挡墙,所述支撑挡墙的高度大于所述阴极层的厚度,将所述阴极层分割以形成所述第一间隙。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,同一触控功能层的触控构件包括驱动电极以及感应电极,相邻的驱动电极和感应电极之间形成有所述第二间隙;所述驱动电极以及所述感应电极之间的电感线穿过所述第一间隙,形成互容式触控功能单元。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述触控功能层设置于所述阴极层与所述基板之间;沿垂直于所述基板的投影方向,所述第一间隙在所述基板上的第一投影,覆盖所述第二间隙在所述基板上的第二投影。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述触控功能层设置于所述阴极层与所述基板之间;沿垂直于所述基板的投影方向,所述第一间隙在所述基板上的第一投影,与所述第二间隙在所述基板上的第二投影重合。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述触控功能层与所述显示面板的信号走线层同层设置。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,同一触控功能层的触控构件包括驱动电极以及感应电极,相邻的驱动电极和感应电极之间形成有所述第二间隙,所述触控功能层与所述阴极层同层设置;所述第一间隙与所述第二间隙重合。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,同一触控功能层的触控构件包括触控电极,相邻的触控电极之间形成有所述第二间隙;所述触控电极之间的电感线穿过所述第一间隙,形成自容式触控功能单元。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,同一触控功能层的触控构件包括触控电极,相邻的触控电极之间形成有所述第二间隙,所述触控功能层与所述阴极层同层设置;所述第一间隙与所述第二间隙重合。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述触控功能层包括第一触控功能层和第二触控功能层,所述第一触控功能层形成第一触控电极,所述第二触控功能层形成感应电极;所述第一触控功能层与所述阴极层同层设置,相邻的第一触控电极形成所述第一间隙,相邻的第二触控电极形成所述第二间隙;沿垂直于所述基板的投影方向,所述第一间隙在所述基板上的第一投影,与所述第二间隙在所述基板上的第二投影相交;所述第一触控电极以及所述第二触控电极之间的电感线穿过所述第一间隙,形成互容式触控功能单元。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述第一间隙在所述基板上的第一投影,与所述第二间隙在所述基板上的第二投影垂直。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811555431.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的