[发明专利]一种带低频增益补偿的宽带分布式放大器的电路结构

权利要求书

1.一种改善分布式放大器低频增益性能的分布式放大器电路结构，其特征在于，包括：分布式1通路，频段一通路；放大器2通路，频段二通路。

2.根据权利要求1所述一种改善分布式放大器低频增益性能的分布式放大器电路结构，其特征在于：还包括分别与所述分布式1通路及放大器2通路相连的开关，用以控制分布式1通路或放大器2通路的导通和关断；该开关输入端接输入信号，输出端分别与分布式1通路和输入匹配电路连接的低频放大器相连。

3.根据权利要求1所述一种改善分布式放大器低频增益性能的分布式放大器电路结构，其特征在于：还包括分别与所述分布式1通路及放大器2通路相连的控制电路，用于控制所述分布式1通路及放大器2通路的偏置电压，同时用于控制所述开关的通断，以使所述功率放大器不同频段相对独立，实现级间宽带匹配；连接于所述开关与所述分布式1通路的电容C1，用于阻隔直流；连接于所述开关与所述低频放大器的匹配网络2，用于输入匹配。

4.根据权利要求1所述一种改善分布式放大器低频增益性能的分布式放大器电路结构，其特征在于：分别与所述分布式1通路及放大器2通路相连的供电电路。

5.根据权利要求1所述一种改善分布式放大器低频增益性能的分布式放大器电路结构，其特征在于：分别与所述放大器2通路相连的输出匹配电路。

6.根据权利要求1所述一种改善分布式放大器低频增益性能的分布式放大器电路结构，其特征在于：连接于所述供电电路与所述分布式1通路的电容C2，用于通交流隔直流或者变换阻抗。

7.根据权利要求2所述一种改善分布式放大器低频增益性能的分布式放大器电路结构，其特征在于：所述分布式1通路和放大器2通路通过电容C5与负载相连。

8.根据权利要求2所述一种改善分布式放大器低频增益性能的分布式放大器电路结构，其特征在于：所述分布式1通路包括：

输入端作为所述分布式1通路输入端的驱动级；所述驱动级的供电端与所述供电电路相连；所述驱动级的控制端与所述控制电路相连。

9.根据权利要求2所述一种改善分布式放大器低频增益性能的分布式放大器电路结构，其特征在于：所述放大器2通路包括：

输入端作为所述放大器2通路输入端的驱动级；所述驱动级的供电端与所述供电电路相连；所述驱动级的控制端与所述控制电路相连。