[发明专利]标签存储位读出比较电路以及标签数据读出比较电路

权利要求书

1.一种标签存储位读出比较电路，其特征在于，包括：地址位数据读取电路，与所述地址位数据读取电路相连接的目标地址位信号输入电路，以及分别与所述地址位数据读取电路以及所述目标地址位信号输入电路相连接的位比较电路；其中：

所述地址位数据读取电路适于读取标签阵列存储中的地址位数据得到地址位信号，在时序控制信号的控制下基于所述地址位信号输出待比较标签地址位信号至所述位比较电路；

所述目标地址位信号输入电路，适于接收所述地址位数据读取电路输出的目标地址位信号，在所述时序控制信号的控制下输出待比较目标地址位信号至所述位比较电路，所述待比较目标地址位信号基于所述目标地址位信号生成；

所述位比较电路适于响应于所述待比较标签地址位信号以及所述待比较目标地址位信号，比较所述待比较标签地址位信号以及所述待比较目标地址位信号，生成比较结果信号。

2.根据权利要求1所述的标签存储位读出比较电路，其特征在于，所述地址位数据读取电路包括：放大电路，与所述放大电路相连接的锁存电路，以及所述锁存电路相连接的标签位读取输出电路，其中：

所述放大电路的控制端适于接入所述时序控制信号，所述放大电路的输入端适于接收所述地址位信号，所述放大电路适于在所述时序控制信号的控制下放大所述地址位信号得到地址位放大信号，所述放大电路的输出端适于输出所述地址位放大信号至所述锁存电路的输入端；所述锁存电路的控制端适于接入所述时序控制信号，所述锁存电路适于在所述时序控制信号的控制下，暂存所述地址位放大信号；

所述标签位读取输出电路的输入端适于接收所述锁存电路的输出信号，所述标签位读取输出电路适于根据所述锁存电路输出的锁存输出信号，生成与所述位比较电路相适配的所述待比较标签地址位信号。

3.根据权利要求2所述的标签存储位读出比较电路，其特征在于，所述地址位信号包括正相地址位信号和反相地址位信号，所述地址位放大信号包括正相地址位放大信号和反相地址位放大信号，所述锁存输出信号包括正相锁存输出信号和反相锁存输出信号，所述待比较标签地址位信号包括正相待比较标签地址位信号和反相待比较标签地址位信号；

所述放大电路的输入端包括正相输入端和反相输入端，所述放大电路的正相输入端适于接收所述正相地址位信号，所述放大电路的反相输入端适于接收所述反相地址位信号，所述放大电路的输出端包括正相输出端和反相输出端，所述正相输出端输出所述正相地址位放大信号，所述反相输出端输出所述反相地址位放大信号；

所述标签位读取输出电路的输入端包括正相输入端和反相输入端，所述标签位读取输出电路的正相输入端适于接收所述正相锁存输出信号，所述标签位读取输出电路的反相输入端适于接收所述反相锁存输出信号，所述标签位读取输出电路的输出端包括正相输出端和反相输出端，所述标签位读取输出电路的正相输出端输出所述正相待比较标签地址位信号，所述标签位读取输出电路的反相输出端输出所述反相待比较标签地址位信号。

4.根据权利要求3所述的标签存储位读出比较电路，其特征在于，所述标签位读取输出电路包括反相电路；

所述反相电路包括第一反相子电路以及第二反相子电路，所述第一反相子电路的输入端接入所述正相锁存输出信号，所述第二反相子电路的输入端接入所述反相锁存输出信号，所述第一反相子电路的输出端输出所述正相待比较标签地址位信号，所述第二反相子电路的输出端输出所述反相待比较标签地址位信号。

5.根据权利要求3所述的标签存储位读出比较电路，其特征在于，所述放大电路包括：第一NMOS管，第二NMOS管以及第三NMOS管；所述第一NMOS管的栅极适于接入所述时序控制信号，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的漏极连接至所述第二NMOS管的源极；

所述第二NMOS管的栅极适于接入所述正相地址位信号，所述第二NMOS管的漏极适于输出所述正相地址位放大信号；

所述第三NMOS管的栅极适于接入所述反相地址位信号，所述第三NMOS管的源极连接至第一NMOS管的漏极，所述第三NMOS管的漏极适于输出所述反相地址位放大信号。