[发明专利]电池片钝化层中间体、太阳能电池片及其制备方法

权利要求书

1.一种电池片钝化层中间体，其特征在于，所述钝化层中间体包括依次沉积于硅片背面的氧化铝底膜及氧化铝外膜，所述氧化铝底膜内富含羟基。

2.根据权利要求1所述的电池片钝化层中间体，其特征在于，所述氧化铝底膜的厚度范围为4-8nm，所述氧化铝外膜的厚度范围为4-8nm。

3.根据权利要求2所述的电池片钝化层中间体，其特征在于，所述氧化铝底膜与氧化铝外膜的厚度均为6nm。

4.一种太阳能电池片，包括硅片，其特征在于，所述硅片背面还设置有钝化层，所述钝化层由权利要求1-3任意一项所述的钝化层中间体经退火处理成型。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池片，其特征在于，所述太阳能电池片还包括沉积于所述钝化层表面的氮化硅层。

6.一种太阳能电池片的制备方法，其特征在于，包括：

钝化层中间体成型步骤，将硅片放置于原子层沉积设备中，先以三甲基铝和水为前驱体在硅片背面形成富含有羟基的氧化铝底膜，再以三甲基铝和臭氧为前驱体在氧化铝底膜表面形成氧化铝外膜，所述氧化铝底膜与所述氧化铝外膜构成所述钝化层中间体；

钝化层成型步骤，退火处理所述硅片以使所述钝化层中间体成型为钝化层。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池片的制备方法，其特征在于，形成所述氧化铝底膜时，所述原子层沉积设备的反应腔内温度为220-300℃、压强为2-6mbar，所述氧化铝底膜形成过程包括20-40次原子层沉积循环，单次沉积循环依次包括：40-80s的三甲基铝脉冲、60-140s的氮气吹扫、40-80s的去离子水脉冲以及60-140s氮气吹扫；其中，三甲基铝脉冲与去离子水脉冲均以氮气为载气，载气流量为150-250sccm，每次氮气吹扫的流量为800-1200sccm。

8.根据权利要求6或7所述的太阳能电池片的制备方法，其特征在于，形成所述氧化铝外膜时，所述原子层沉积设备的反应腔内温度为220-300℃、压强为2-6mbar，所述氧化铝外膜形成过程包括20-40次原子层沉积循环，单次沉积循环依次包括：40-80s的三甲基铝脉冲、60-140s的氮气吹扫、40-80s的臭氧脉冲以及60-140s氮气吹扫；其中，三甲基铝脉冲以氮气为载气，载气流量为150-250sccm，每次臭氧脉冲的流量为80-120sccm，每次氮气吹扫的流量为800-1200sccm。

9.据权利要求6所述的太阳能电池片的制备方法，其特征在于，所述退火处理的温度为450-550℃，压强为1400-1800mtorr，氮气流量为1600-2400sccm，时间为400-800s。

10.根据权利要求6-9任意一项所述的太阳能电池片的制备方法，所述制备方法于钝化层成型步骤之后还具有于所述钝化层表面沉积氮化硅的氮化硅层成型步骤。