[发明专利]一种0-3型PZT-γ-C2S压电复合材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201811557492.9 申请日: 2018-12-19
公开(公告)号: CN109659428A 公开(公告)日: 2019-04-19
发明(设计)人: 王发洲;周雄;刘志超;穆元冬;何永佳 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: H01L41/18 分类号: H01L41/18;H01L41/37
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 唐万荣;官群
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 压电复合材料 力学性能 制备 体积百分比 体积稳定性 强度发展 碳化基体 压电性能 复合材料 密实度 匹配度 压电相 增强相 压电
【权利要求书】:

1.一种0-3型PZT-γ-C2S压电复合材料,其特征在于,其原料由以下体积百分比的组分组成:γ-C2S粉22-30%,PZT陶瓷颗粒55-65%,水12-17%,增强相0-2%。

2.根据权利要求1所述的0-3型PZT-γ-C2S压电复合材料,其特征在于,所述γ-C2S粉粒径为0.5-80μm,表观密度为2900-3100kg/m3,比表面积为250-300m2/kg,纯度大于99%。

3.根据权利要求1所述的0-3型PZT-γ-C2S压电复合材料,其特征在于,所述PZT陶瓷颗粒粒径为10-900μm,表观密度为7500-7700kg/m3,比表面积为3-7m2/kg,压电应变常数为450-600pC/N。

4.根据权利要求1所述的0-3型PZT-γ-C2S压电复合材料,其特征在于,所述增强相为碳纳米管、炭黑或两者按任意比例的混合物,所述炭黑为超细炭黑粉,所述碳纳米管为羧基化多壁碳纳米管,纯度>95%,内径5-12nm,外径30-50nm,长度10-20μm,炭黑与碳纳米管表观密度均大于1800kg/m3

5.一种权利要求1-4任一所述的0-3型PZT-γ-C2S压电复合材料的制备方法,其特征在于,具体步骤为:

1)按配比称取原料,备用;

2)将γ-C2S粉、PZT陶瓷颗粒混合并球磨均匀,根据需要加入增强相,分散均匀,再加水拌匀后得到湿料,将湿料置于不锈钢碳化模具中压制成型得到坯体,再将制得的坯体立即放入碳化箱中进行碳化处理得到0-3型PZT-γ-C2S压电复合材料。

6.根据权利要求5所述的0-3型PZT-γ-C2S压电复合材料的制备方法,其特征在于,步骤2)所述碳化处理的条件为:在纯度为99.8%的CO2气氛下碳化,碳化压强为0.3MPa,碳化时间为0.5-3小时。

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