[发明专利]存储器结构及其制造方法

说明书

本发明公开一种存储器结构及其制造方法，其中该存储器结构包括至少二浮置栅极、二硬掩模条、一抹除栅极以及二选择栅极。至少二浮置栅极配置于基底上。二硬掩模条分别配置于浮置栅极上方，并裸露出部分浮置栅极。浮置栅极的裸露部分彼此面对。抹除栅极配置于浮置栅极之间的基底上。二选择栅极配置于浮置栅极外侧的基底上。

技术领域

本发明涉及一种半导体结构及其制造方法，且特别是涉及一种存储器结构及其制造方法。

背景技术

由于非挥发性存储器(non-volatile memory)可进行多次数据的存入、读取与抹除等操作，且具有当电源供应中断时，所存储的数据不会消失、数据存取时间短以及低消耗功率等优点，所以已成为个人计算机和电子设备所广泛采用的一种存储器。

在目前提高元件集成度的趋势下，如何在不影响操作性能及可靠度的前提下微缩存储器尺寸，已成为业界的一致目标。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种新式存储器结构及其制造方法，除了可以在不影响操作性能及可靠度的前提下微缩存储器尺寸外，还可以简化制作工艺的复杂度。

本发明提供一种存储器结构，其包括至少二浮置栅极、二硬掩模条、一抹除栅极以及二选择栅极。至少二浮置栅极配置于基底上。二硬掩模条分别配置于浮置栅极上方，并裸露出部分浮置栅极。浮置栅极的裸露部分彼此面对。抹除栅极配置于浮置栅极之间的基底上。二选择栅极配置于浮置栅极外侧的基底上。

在本发明的一实施例中，上述基底具有至少一第一主动(有源)区块、至少一第二主动区块以及第三主动区块。第一主动区块以及第二主动区块沿第一方向延伸，且第三主动区块位于第一主动区块与第二主动区块之间并沿第二方向延伸。

在本发明的一实施例中，上述浮置栅极的一者配置于第一主动区块的基底上，且浮置栅极的另一者配置于第二主动区块的基底上。

在本发明的一实施例中，上述存储器结构还包括二内侧间隙壁以及二外侧间隙壁。二内侧间隙壁配置于硬掩模条之间的浮置栅极上。二外侧间隙壁配置于硬掩模条外侧的基底上。

在本发明的一实施例中，上述内侧间隙壁与外侧间隙壁的材料包括氧化硅-氮化硅-氧化硅(ONO)复合结构。

在本发明的一实施例中，上述存储器结构还包括二绝缘层，配置于硬掩模条与浮置栅极之间以及内侧间隙壁与浮置栅极之间。

在本发明的一实施例中，上述存储器结构还包括二浮置栅介电层、一抹除栅介电层以及二选择栅介电层。二浮置栅介电层配置于浮置栅极与基底之间。抹除栅介电层配置于抹除栅极与基底之间以及抹除栅极与浮置栅极的裸露部分之间。二选择栅介电层配置于选择栅极与基底之间。

在本发明的一实施例中，上述存储器结构还包括第一掺杂区以及二第二掺杂区。第一掺杂区配置于抹除栅极下方的基底中。二第二掺杂区配置于选择栅极外侧的基底中。

在本发明的一实施例中，上述第一掺杂区更延伸到相邻浮置栅极下方的基底中。

在本发明的一实施例中，上述第二掺杂区更延伸到相邻的选择栅极下方的基底中。

在本发明的一实施例中，上述抹除栅极以及选择栅极的顶面高于浮置栅极的顶面且低于硬掩模条的顶面。

在本发明的一实施例中，上述硬掩模条的厚度是浮置栅极的厚度的至少两倍。