[发明专利]一种提高混合刻蚀工艺稳定性的方法

权利要求书

1.一种提高混合刻蚀工艺稳定性的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：

步骤一、提供一具有初始刻蚀量的刻蚀腔和具有不同刻蚀工序需求的晶圆；

步骤二、使所述刻蚀腔提供与其中一个所述刻蚀工序对应的功率和刻蚀时间，并在该功率和刻蚀时间下针对所述晶圆进行刻蚀；

步骤三、提供一控制系统，该控制系统对所述功率和刻蚀时间进行实时采集；

步骤四、所述控制系统提供与步骤三中所述功率和刻蚀时间对应的运算系数，并对所述功率、时间及该运算系数进行乘积运算，得到与该刻蚀工序对应的刻蚀量；

步骤五、所述控制系统将所述初始刻蚀量与步骤四中所述刻蚀量进行加和运算得到累积刻蚀量；

步骤六、所述控制系统提供一基准刻蚀量，并将步骤五中的累积刻蚀量与所述基准刻蚀量进行比较，若所述累积刻蚀量小于所述基准刻蚀量，则针对所述晶圆的其它刻蚀工序逐个进行步骤二至步骤五，直到所述累积刻蚀量达到所述基准刻蚀量，对所述刻蚀腔进行维护保养。

2.如权利要求1所述的提高混合刻蚀工艺稳定性的方法，其特征在于：所述步骤一中的刻蚀腔为等离子反应腔体。

3.如权利要求1或2所述的提高混合刻蚀工艺稳定性的方法，其特征在于：所述步骤二中对所述晶圆进行刻蚀，形成多个通孔和沟槽；所述通孔和沟槽的被刻蚀区域为相同材质的半导体介质。

4.如权利要求2所述的提高混合刻蚀工艺稳定性的方法，其特征在于：所述等离子反应腔体的工作频率为2MHZ。

5.如权利要求2所述的提高混合刻蚀工艺稳定性的方法，其特征在于：所述步骤三中的控制系统为APC先进控制系统。

6.如权利要求5所述的提高混合刻蚀工艺稳定性的方法，其特征在于：所述APC先进控制系统提供所述运算系数的步骤包括：

(1)所述等离子反应腔采用不同的刻蚀偏压和不同的刻蚀速率对所述晶圆进行刻蚀，得到多个不同的刻蚀偏压和多个不同的刻蚀速率，所述刻蚀偏压与所述刻蚀速率具有线性关系；

(2)所述APC先进系统对所述步骤(1)中的不同刻蚀偏压和刻蚀速率进行采集并根据所述线性关系式计算出所述运算系数。

7.如权利要求6所述的提高混合刻蚀工艺稳定性的方法，其特征在于：所述步骤(1)中的所述刻蚀偏压的取值范围为50～850伏。

8.如权利要求7所述的提高混合刻蚀工艺稳定性的方法，其特征在于：所述步骤(1)中刻蚀速率的取值范围为

9.如权利要求8所述的提高混合刻蚀工艺稳定性的方法，其特征在于：所述步骤四中运算系数的值为0.767。

10.如权利要求1所述的提高混合刻蚀工艺稳定性的方法，其特征在于：所述刻蚀腔对所述晶圆进行的刻蚀包括去掉主要介质的主刻蚀和去掉残留介质的过刻蚀。

11.如权利要求10所述的提高混合刻蚀工艺稳定性的方法，其特征在于：所述主刻蚀中功率为1.2KW和刻蚀时间为100s构成一个刻蚀条件；功率为2.0KW和刻蚀时间为250s构成另一个刻蚀条件。

12.如权利要求10所述的提高混合刻蚀工艺稳定性的方法，其特征在于：所述过刻蚀中功率为1KW和刻蚀时间为120s构成一个刻蚀条件；功率为1.6KW和刻蚀时间为150s构成另一个刻蚀条件。

13.如权利要求1所述的提高混合刻蚀工艺稳定性的方法，其特征在于：该方法还包括步骤七、待所述维护保养结束后重复所述步骤一至步骤六。

14.如权利要求1所述的提高混合刻蚀工艺稳定性的方法，其特征在于：所述基准刻蚀量为2160000KW*Å /V，达到该基准量所需要的刻蚀时间为500小时。