[发明专利]一种制备铜铟镓硒薄膜电池的方法及其装置

权利要求书

1.一种制备铜铟镓硒薄膜电池的方法，其特征在于，该方法包括：

以铜、铟、镓三种元素为蒸发源，采用共蒸发方式对基板进行镀膜，同时以硒靶材为磁控溅射靶对所述基板进行磁控溅射；

对镀膜和溅射后的基板进行退火处理，得到铜铟镓硒太阳能薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备铜铟镓硒薄膜电池的方法，其特征在于，所述硒靶材为硒与硒化铜的混合物形成的靶材。

3.根据权利要求1或2所述的制备铜铟镓硒薄膜电池的方法，其特征在于，以铜、铟、镓三种元素为蒸发源，采用共蒸发方式对基板进行镀膜时，所述蒸发源的顺序为：

按照所述基板的移动方向，以所述镓、铟两种元素在前，所述铜元素在中间，所述镓、铟两种元素在后的顺序。

4.根据权利要求3所述的制备铜铟镓硒薄膜电池的方法，其特征在于，所述蒸发源的顺序为：

按照所述基板的移动方向，以所述镓、铟、铜、铜、镓、铟元素的顺序对所述基板进行镀膜。

5.根据权利要求1所述的制备铜铟镓硒薄膜电池的方法，其特征在于，以硒靶材为磁控溅射靶对所述基板进行磁控溅射时，所述磁控溅射的参数包括：

所述硒靶材的磁控溅射功率为5-10kw；

所述硒靶材与所述基板之间的距离为1-1.5m；

所述硒靶材中硒元素的沉积速率为1-5A/S。

6.根据权利要求1所述的制备铜铟镓硒薄膜电池的方法，其特征在于，采用共蒸发方式对基板进行镀膜时，所述蒸镀的环境参数包括：

所述蒸发源等间距设置，且所述蒸发源之间的距离为30-50cm；

所述蒸发源与所述基板之间的距离为1.2-1.5m。

7.根据权利要求1所述的制备铜铟镓硒薄膜电池的方法，其特征在于，以所述镓元素作为蒸发源的加热功率为0.8-1kw，所述镓元素的沉积速率为1-3A/S；

以所述铜元素作为蒸发源的加热功率为2-3kw，所述铜元素的沉积速率为1-4A/S；

以所述铟元素作为蒸发源的加热功率为0.8-1kw，所述铟元素的沉积速率为1-3A/S。

8.根据权利要求1所述的制备铜铟镓硒薄膜电池的方法，其特征在于，所述基板的温度为500-600℃；所述基板的移动速度为10-50cm/min。

9.一种制备铜铟镓硒薄膜电池的装置，其特征在于，所述装置包括：

镀膜室，用于采用共蒸发方式和磁控溅射方式对基板进行镀膜；与所述镀膜室连接的退火室；

其中，所述镀膜室包括：

传输装置，设置在所述镀膜室内，用于承载和移动所述基板；

多个加热容器，设置在所述传输装置下面，且固定在所述镀膜室底部的两侧，用于放置蒸发源，并将所述蒸发源蒸发后的元素蒸镀在所述基板上；

溅射装置，设置在两侧所述加热容器之间，所述溅射装置朝向所述传输装置的一侧设置有若干喷口，所述溅射装置用于容纳靶材以及对所述靶材溅射后将溅射后的元素通过所述若干喷口喷出后溅射到所述基板上。

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，位于同一侧的多个所述加热容器之间等距离设置。