[发明专利]半导体器件、发光器件芯片、光学打印头和图像形成设备在审
申请号: | 201811558002.7 | 申请日: | 2018-12-19 |
公开(公告)号: | CN109994581A | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 谷川兼一;川田宽人 | 申请(专利权)人: | 日本冲信息株式会社 |
主分类号: | H01L33/08 | 分类号: | H01L33/08;H01L33/38 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘茜璐;闫小龙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体层 带隙 半导体器件 第一导电类型 发光器件芯片 图像形成设备 光学打印头 导电类型 发光晶闸管 第三电极 第三层 第一层 相等 | ||
本发明涉及半导体器件、发光器件芯片、光学打印头和图像形成设备。半导体器件1000包括:发光晶闸管10,其包括第一导电类型的第一半导体层1040、第二导电类型的第二半导体层1030、第一导电类型的第三半导体层1020和第二导电类型的第四半导体层1010;以及第一至第三电极61A、51G和41K。第一半导体层1040包括第一层1043、具有比第二半导体层1030和第三半导体层1020的带隙BGng和BGpg宽的带隙BGcl1的第二层1042、以及具有比第二半导体层1030和第三半导体层1020的杂质浓度IMng和IMpg高的杂质浓度IMac1并且具有比第二半导体层1030和第三半导体层1020的带隙BGng和BGpg窄或与其相等的带隙BGac1的第三层1041。
技术领域
本发明涉及包括发光晶闸管的半导体器件、包括布置在基板部分上的该半导体器件的发光器件芯片、包括该发光器件芯片的光学打印头、以及包括该光学打印头的图像形成设备。
背景技术
常规地,用于通过电子照相过程在打印介质上形成图像的图像形成设备是普遍的。在图像形成设备中,通过利用从包括布置成一行的多个发光器件的光学打印头发出的光照射感光鼓的表面来在表面上形成静电潜像,通过对静电潜像进行显影来形成显影剂图像,并且将显影剂图像转印到打印介质上并定影。作为包括在光学打印头中的发光器件,作为三端发光器件的发光晶闸管是公知的(例如,参见日本专利申请公开号2010-239084)。
发明内容
发明要解决的问题
然而,常规的发光晶闸管需要更优异的发光性能。
本发明的目的是提供包括具有优异发光性能的发光晶闸管的半导体器件、包括布置在基板部分上的该半导体器件的发光器件芯片、包括该发光器件芯片的光学打印头和包括该光学打印头的图像形成设备。
用于解决问题的方法
根据本发明的一个方面的半导体器件包括:
发光晶闸管,其包括第一导电类型的第一半导体层、与第一半导体层相邻布置的第二导电类型的第二半导体层、与第二半导体层相邻布置的第一导电类型的第三半导体层、以及与第三半导体层相邻布置的第二导电类型的第四半导体层;
与第一半导体层电连接的第一电极;
与第二半导体层或第三半导体层电连接的第二电极;以及
与第四半导体层电连接的第三电极。
第一半导体层包括:
与第一电极电连接的第一层;
具有比第二半导体层的第二带隙和第三半导体层的第三带隙宽的第一带隙的第二层;以及
具有比第二半导体层的第二杂质浓度和第三半导体层的第三杂质浓度高的第一杂质浓度的第三层,所述第三层具有比第二半导体层的第二带隙和第三半导体层的第三带隙窄或与其相等的第四带隙。
发明效果
根据本发明,可以提供包括具有优异发光性能的发光晶闸管的半导体器件和发光器件芯片。此外,在采用包括这样的发光器件芯片的光学打印头的图像形成设备中,可以改进打印图像的质量。
附图说明
在附图中,
图1是示出本发明的第一实施例中的半导体器件的结构的示意平面图;
图2是示出第一实施例中的半导体器件的结构即沿图1中的箭头的方向上查看的线A-B-C的图1的截面处的横截面结构的示意横截面视图;
图3是示出图2中的半导体器件的发光晶闸管中的每个半导体层的杂质浓度和Al组分比的示例的图;
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