[发明专利]一种全透明异质结光晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种全透明异质结光晶体管，其特征在于：所述光晶体管为顶栅垂直结构，从下自上依次设置有基底、漏极、氧化物半导体层、可见光吸光层、网状源极、绝缘层和栅极，所述绝缘层的一侧设置有源极接触电极；所述基底为玻璃，所述绝缘层为氧化铝或PVP，所述网状源极为金属纳米线或碳纳米管，所述可见光吸光层为有机半导体材料、量子点材料或钙钛矿材料，所述氧化物半导体层为金属氧化物半导体。

2.根据权利要求1所述的一种全透明异质结光晶体管，其特征在于：所述漏极和氧化物半导体层均采用磁控溅射工艺制备得到。

3.根据权利要求1所述的一种全透明异质结光晶体管，其特征在于：所述可见光吸光层采用旋涂工艺沉积制备得到，其厚度为30-50nm。

4.根据权利要求2所述的一种全透明异质结光晶体管，其特征在于：所述磁控溅射工艺制备氧化物半导体层所用靶材为氧化铟、氧化锌、氧化铟锌、氧化铟镓或氧化铟镓锌，其厚度为30-50nm。

5.根据权利要求1所述的一种全透明异质结光晶体管，其特征在于：所述网状源极采用旋涂工艺沉积制备得到。

6.根据权利要求1所述的一种全透明异质结光晶体管，其特征在于：所述绝缘层采用原子层沉积技术或旋涂工艺制备得到，其厚度为100~150nm。

7.根据权利要求1所述的一种全透明异质结光晶体管，其特征在于：所述源极接触电极和栅极是采用磁控溅射工艺同步沉积制备得到的。

8.如权利要求1-7任一项所述的全透明异质结光晶体管的制备方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：

（1）在玻璃基底上采用磁控溅射工艺制备漏极；

（2）采用磁控溅射工艺，在漏极上沉积金属氧化物半导体并退火，得到氧化物半导体层；

（3）采用旋涂工艺，在氧化物半导体层上制备可见光吸光层薄膜并退火，得到可见光吸光层；

（4）采用旋涂工艺，在可见光吸光层上沉积网状电极；

（5）采用原子层沉积工艺或旋涂工艺在网状源极上制备绝缘层；

（6）采用磁控溅射工艺，分别在网状源极和绝缘层上同步沉积源极接触电极和栅极。