[发明专利]一种充电电路及充电控制方法、移动终端有效
申请号: | 201811558359.5 | 申请日: | 2018-12-19 |
公开(公告)号: | CN109713746B | 公开(公告)日: | 2023-01-13 |
发明(设计)人: | 范建功 | 申请(专利权)人: | 株洲格新电气科技有限公司 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
代理公司: | 佛山高业知识产权代理事务所(普通合伙) 44562 | 代理人: | 肖丽 |
地址: | 412007 湖南省株洲市天元区仙月*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 充电 电路 控制 方法 移动 终端 | ||
本发明公开了一种充电电路及充电控制方法、移动终端,通过在充电电路上设置两个充电支路,并且两个充电支路的总阻抗相差较大,在待充电电池的电量较低时,采用阻抗较大的充电支路进行充电,若待充电电池的电量中等或者以上时,选择切换至阻抗较小的充电支路进行充电,这样的方式可以降低由于阻抗的消耗增加的发热量,同时还能保证充电的速度,既可以有效降低发热量,又可以提高充电的效率,同时还可以与现有的高通方案结合使用,提供用户体验感,并且与当前通用的充电方案实现兼容设计。
技术领域
本发明涉及触控技术领域,更具体地说,涉及一种充电电路及充电控制方法、移动终端。
背景技术
随着终端制造工艺的不断推陈出新,终端手机的功能越来越丰富,终端用户对手机的依赖程度也越来越高,一旦使用率变高,对电池的需求也越来越高,随着用户使用手机的频率的增高,一天一充或者电一天几充电都是司空见惯之事,而且用户对充电的速度也越来越有要求,尤其是现在各大手机厂商都在使用快速充电器来实现快速充电的效果,虽然各厂商在充电速度上满足了用户的需求,但是对于高速充电所带来的负面问题并没有解决,即是发热率高了,而现有的使用最多的充电方案是高通的充电方案,而该通用方案大部分都是使用QC3.0/QC2.0等来实现,这些方式通常会带来明显的发热现象,这会大大影响了用户体验。
发明内容
本发明实施例提供了一种充电电路及充电控制方法、移动终端,以解决现有的高速充电电路发热过于严重,而导致用户的使用体验不佳的技术问题。
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种充电电路,所述充电电路包括:供电接口,以及分别与所述供电接口连接的第一充电支路、第二充电支路和用于控制所述第一充电支路或所述第二充电支路对待充电电池充电的逻辑电路,其中所述第一充电支路的总阻抗大于所述第二充电支路的总阻抗;
在充电时,所述充电电路实时检测待充电电池的电量百分比;
若所述电量百分比为低电量状态时,所述逻辑电路接通所述第一充电支路对所述待充电电池进行充电;
若所述电量百分比为中等电量状态以上时,所述所述逻辑电路接通所述第二充电支路或者将所述充电电路从所述第一充电支路切换至所述第二充电支路对所述待充电电池进行充电。
可选的,所述第二充电支路包括依次串联连接的充电管理芯片WP、PMOS管和三极管Q1,以及通过串/并联连接在所述充电管理芯片WP、PMOS管和三极管Q1之间的辅助电子器件。
可选的,在充电过程中,所述充电管理芯片WP实时采集所述待充电电池的电量百分比和/或所述第一充电支路的充电电流,若所述电量百分比和/或充电电流满足所述充电管理芯片WP的切换条件,则控制所述逻辑电路转换至所述第二充电支路工作。
可选的,所述控制所述逻辑电路转换至所述第二充电支路工作包括:
接通所述三极管Q1,控制所述三极管Q1的栅极输出高电位实现导通,并保持所述PMOS管的基极的低电位状态,所述PMOS管的源极通过所述辅助电子器件后获得高电位实现导通。
可选的,所述PMOS管为由N个PMOS管通过串并联方式连接的PMOS管组合,N大于等于1。
可选的,所述第一充电支路包括:电源管理芯片PMI和MOS管Q4;
所述电源管理芯片PMI用于检测所述所述待充电电池的电量百分比,并根据检测的结果接通所述第一充电支路通过所述MOS管Q4充电;
所述MOS管Q4还与所述第二充电支路的输出端连接,所述第二充电支路输出的电流通过所述MOS管Q4对所述待充电电池进行充电。
可选的,所述供电接口为type-c充电接口,所述充电电路实时检测待充电电池的电量百分比包括:通过检测所述type-c充电接口中的数据口引脚的数据来确定所述待充电电池的电量百分比。
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