[发明专利]金属有机化合物化学气相沉积设备复机方法

权利要求书

1.一种金属有机化合物化学气相沉积设备复机方法，其特征在于，所述复机方法包括以下步骤：

S1、高温加热，去除反应腔中残留的MO源；

S2、打开反应腔，去除涂层；

S3、关闭反应腔，稳定反应腔内的气流；

S4、通入有机铟源至反应腔内气压饱和状态；

S5、进入反应腔生产状态。

2.根据权利要求1所述的金属有机化合物化学气相沉积设备复机方法，其特征在于，在所述步骤S1中MO源包括有机镓源、有机铝源、有机铟源、有机镁源、有机锌源和/或有机氧源。

3.根据权利要求1所述的金属有机化合物化学气相沉积设备复机方法，其特征在于，在所述步骤S1中高温加热的温度为950-1200℃。

4.根据权利要求1所述的金属有机化合物化学气相沉积设备复机方法，其特征在于，在所述步骤S2中去除涂层的具体方式包括机械打磨、化学处理或等离子处理。

5.根据权利要求1所述的金属有机化合物化学气相沉积设备复机方法，其特征在于，所述反应腔的气流，包括来自有机源管路的第一气流、气源管路的第二气流和载气管路的第三气流；

所述第一气流，包括有机镓源、有机铝源、有机铟源、有机镁源、有机锌源的气流；

所述第二气流，包括还原气源和反应气源；所述还原气源为氢气；所述反应气源包括氨气，用于为氮化物生长提供氮源；

所述第三气流，包括氢气、氮气和氩气的一种或者多种。

6.根据权利要求5所述的金属有机化合物化学气相沉积设备复机方法，其特征在于，所述反应气源还包括氧的气态源，用于提供氧化反应中的氧源。

7.根据权利要求1所述的金属有机化合物化学气相沉积设备复机方法，其特征在于，所述步骤S3中稳定反应腔内气流，所述反应腔内压强为2-3KPa。

8.根据权利要求1所述的金属有机化合物化学气相沉积设备复机方法，其特征在于，所述步骤S4中通入有机铟源至反应腔内气压饱和状态，所述反应腔内压强为11-14KPa。

9.根据权利要求1所述的金属有机化合物化学气相沉积设备复机方法，其特征在于，所述步骤S5中所述反应腔生产状态的沉积温度范围为600-700℃。

10.根据权利要求1所述的金属有机化合物化学气相沉积设备复机方法，其特征在于，在所述步骤S2之后，还包括：更换所述金属有机化合物化学气相沉积设备的石英部件，或清洗所述化学气相沉积设备的碳化硅部件以及金属部件。