[发明专利]侧栅场效应晶体管太赫兹探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种侧栅场效应晶体管太赫兹探测器，其特征在于，包括：

衬底；

台面，由将生长在衬底上的有源层刻蚀后形成，或者由在衬底上生长有源层后，刻蚀部分衬底和有源层后形成；

栅极，设置位于台面两侧，与所述台面形成肖特基接触；

源极和漏极，设置位于台面另外两侧，与所述台面形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的侧栅场效应晶体管太赫兹探测器，其特征在于：

所述的场效应晶体管包括以下至少一种：金属-氧化物半导体场效应晶体管，金属-半导体场效应晶体管，金属-绝缘半导体场效应晶体管，调制掺杂场效应晶体管，结型场效应晶体管和高电子迁移率场效应晶体管。

3.根据权利要求1所述的侧栅场效应晶体管太赫兹探测器，其特征在于：

所述的衬底材料为：氮化镓、砷化镓、磷化钢、金刚石、蓝宝石、碳化硅或硅。

4.根据权利要求1所述的侧栅场效应晶体管太赫兹探测器，其特征在于：

所述的台面为相对于衬底凸起，所述台面高度大于等于有源层厚度。

5.根据权利要求1所述的侧栅场效应晶体管太赫兹探测器，其特征在于：

所述的栅极的个数为2个或2个以上，其中至少有2个栅极分别位于台面的两侧。

6.根据权利要求1所述的侧栅场效应晶体管太赫兹探测器的制备方法，其特征在于：

所述的源极和漏极形成欧姆接触电极，所述欧姆接触电极与所述台面的侧表面相接触，或与所述台面的上表面相接触，或与所述台面的侧表面和上表面同时相接触。

7.根据权利要求1或5所述的侧栅场效应晶体管太赫兹探测器的制备方法，其特征在于：

所述的栅极电极仅与台面的侧表面相接触。

8.根据权利要求1所述的侧栅场效应晶体管太赫兹探测器，其特征在于：

所述的栅极、源极和漏极的材料包括以下至少一种：Ti、Al、Ni、Mo、Pt、Pd、Au、W、TiW和TiN。

9.一种侧栅场效应晶体管太赫兹探测器的制备方法，包括：

在衬底上通过注入、扩散或外延生长形成有源层；

将有源层、或有源层与部分衬底刻蚀形成台面；

在台面的两端制备欧姆接触电极；

在台面的另外两端制备栅极电极。

10.根据权利要求9所述的侧栅场效应晶体管太赫兹探测器的制备方法，其特征在于：

所述的台面的高度大于等于有源层的厚度。