[发明专利]栅极与薄膜晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201811559840.6 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109786232A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 王建刚 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 铝层 氧化铝层 制造 基板 表面形成 工作效率 毛刺结构 氧化处理 钼层 | ||
1.一种栅极的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含步骤：
提供一基板；
形成一铝层在所述基板上；
对所述铝层进行一氧化处理，以使所述铝层的一表面形成一氧化铝层；及
形成一钼层在所述氧化铝层上，以形成所述栅极。
2.如权利要求1所述的栅极的制造方法，其特征在于：所述氧化处理包含提供一含氧气氛予所述铝层、一灰化处理及一退火处理中的至少一种。
3.如权利要求2所述的栅极的制造方法，其特征在于：所述灰化处理的一氧气流量是介于500至1000sccm之间、所述灰化处理的一处理时间是介于10至30秒之间，及所述灰化处理的一处理温度是介于40至60℃之间。
4.如权利要求1所述的栅极的制造方法，其特征在于：所述氧化铝层的一厚度是介于130至160纳米之间。
5.如权利要求1所述的栅极的制造方法，其特征在于：所述制造方法更包含对所述栅极进行一蚀刻步骤，以图案化所述栅极。
6.如权利要求5所述的栅极的制造方法，其特征在于：所述蚀刻步骤是通过一含铝成分的酸剂来进行的。
7.如权利要求5所述的栅极的制造方法，其特征在于：所述蚀刻步骤的一蚀刻时间是介于6至18秒，及所述蚀刻步骤的一蚀刻温度介于35至45℃之间。
8.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含步骤：
提供一基板；
形成一栅极，其中形成所述栅极的步骤包含：
形成一铝层在所述基板上；
对所述铝层进行一氧化处理，以使所述铝层的一表面形成一氧化铝层；及
形成一钼层在所述氧化铝层上，以形成所述栅极；
覆盖一栅极绝缘层在所述栅极上；以及
形成一源极区与一漏极区在所述栅极绝缘层上。
9.如权利要求8所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述氧化处理包含提供一含氧气氛予所述铝层、一灰化处理及一退火处理中的至少一种。
10.如权利要求9所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述灰化处理的一氧气流量是介于500至1000sccm之间、所述灰化处理的一处理时间是介于10至30秒之间，及所述灰化处理的一处理温度是介于40至60℃之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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