[发明专利]多管芯阵列装置

权利要求书

1.一种用于制造多管芯封装的方法，其特征在于，所述方法包括：

将多个倒装芯片管芯和多个分离器管芯放置在牺牲载体上，每个倒装芯片管芯和每个分离器管芯以有源侧向下朝向定位于所述牺牲载体上；

执行焊料回焊以将每个倒装芯片管芯和每个分离器管芯的焊料凸块接合到所述牺牲载体，其中所述牺牲载体包括测试探针电路；

使用所述测试探针电路在探针测试中测试所述多个倒装芯片管芯和所述多个分离器管芯；

如由所述测试指示替换任何故障倒装芯片管芯和任何故障分离器管芯；

将所述多个倒装芯片管芯和所述多个分离器管芯在所述牺牲载体上包覆成型以形成嵌入式管芯面板；

将所述嵌入式管芯面板平坦化以使每个倒装芯片管芯和每个分离器管芯的背表面暴露于所述嵌入式管芯面板的背表面中；

跨越所述嵌入式管芯面板的背表面形成金属化层，所述金属化层接触每个倒装芯片管芯和每个分离器管芯的所述背表面；以及

移除所述牺牲载体以暴露所述嵌入式管芯面板的前表面，其中每个倒装芯片管芯和每个分离器管芯的每个焊料凸块的接触表面暴露于所述嵌入式管芯面板的所述前表面中。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：

将胶带附接到所述金属化层；

在移除所述牺牲载体之后，平坦化以暴露所述嵌入式管芯面板的新前表面，其中每个焊料凸块的新接触表面暴露于所述嵌入式管芯面板的所述新前表面中。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述嵌入式管芯面板平坦化包括：

从每个倒装芯片管芯和每个分离器管芯移除背侧部分以暴露每个倒装芯片管芯和每个分离器管芯的所述背表面。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述包覆成型进一步包括：

用底部填充材料对每个倒装芯片管芯与所述牺牲载体之间的空间进行底部填充。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，每个分离器管芯被配置成在传输模式期间在第一端口处接收射频(RF)信号并在第二端口和第三端口处输出所述RF信号，且被配置成在接收模式期间在所述第一端口处组合所述第二端口和所述第三端口上的RF信号。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述多管芯封装被配置成附接到印刷电路板(PCB)，其中所述PCB包括：

多个天线，其中所述多管芯封装的每个倒装芯片管芯被配置成连接到所述多个天线的子组，和

多个射频(RF)信号线，其被配置成在所述多个倒装芯片管芯与所述多个分离器管芯之间提供信号连接。

7.一种用于制造多管芯封装的方法，其特征在于，所述方法包括：

通过胶带将多个倒装芯片管芯附接到临时载体，每个所述倒装芯片管芯以有源侧向下朝向定位于所述临时载体上；

将所述多个倒装芯片管芯在所述临时载体上包覆成型以形成嵌入式管芯面板；

移除所述临时载体和胶带以暴露所述嵌入式管芯面板的前表面，其中在移除所述临时载体和胶带之后暴露每个倒装芯片管芯的有源侧；

在所述嵌入式管芯面板的所述前表面上方形成重布层(RDL)结构，其中所述RDL结构包括连接到每个倒装芯片管芯的所述有源侧的迹线；

将所述嵌入式管芯面板平坦化以使每个倒装芯片管芯的背表面暴露于所述嵌入式管芯面板的背表面中；以及

跨越所述嵌入式管芯面板的所述背表面形成金属化层，所述金属化层接触每个倒装芯片管芯的所述背表面。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述将所述嵌入式管芯面板平坦化包括：

从每个倒装芯片管芯移除背侧部分以暴露每个倒装芯片管芯的所述背表面。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述RDL结构进一步包括：

在所述多个倒装芯片管芯之间的多个分离器电路；和

多个射频(RF)信号线，其在所述多个倒装芯片管芯与所述多个分离器电路之间提供信号连接。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，进一步包括：

将热界面材料(TIM)的第一侧附接到所述嵌入式管芯面板的所述金属化层，其中所述TIM的第二侧被配置成附接到包括散热管的冷却系统。