[发明专利]内埋元件封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种内埋元件封装结构的制造方法，包括：

提供一载板，并形成一半固化的第一介电层于该载板上，该半固化的第一介电层具有一第一表面；

提供一元件于该半固化的第一介电层上，且分别自该元件的上方及下方提供一热源以固化该第一介电层；

形成一第二介电层于该第一介电层上，以覆盖该元件；以及

形成一图案化线路层于该第二介电层上，该图案化线路层与该元件电性连接。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该载板为一线路基板。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，该线路基板具有一导电线路层，且该第一介电层覆盖该导电线路层。

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，该元件具有至少一接垫，该制造方法于形成该第二介电层之后，更包括形成一开孔贯穿该第二介电层，以露出该至少一接垫。

5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，该图案化线路层自该元件的该接垫延伸于该开孔中及该第二介电层上。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，放置该元件于该第一表面后，该元件的底面直接连接该第一介电层，且该元件的该底面低于该第一表面。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，由该元件上方传递该热能的温度高于由该元件下方传递该热能的温度。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，由该元件上方传递的该热能由一预热的吸附头提供，该预热的吸附头吸附该元件并放置该元件于该第一表面，其中该元件将该热能传递至该第一表面，以使该元件220下方的该第一介电层吸附该热能，且元件周围的一侧面被加热的该第一介电层包覆。

9.一种内埋元件封装结构，包括：

一第一介电层，具有一第一表面；

一元件，设置于该第一介电层上，其中该第一介电层包覆该元件周围的一侧面，该第一介电层相对于该第一表面具有一包覆高度，该包覆高度大于3微米；

一第二介电层，设置于该第一介电层上且覆盖该元件；以及

一图案化线路层，设置于该第二介电层上，该图案化线路层与该元件电性连接。

10.如权利要求9所述的内埋元件封装结构，其特征在于，该包覆高度大于或等于5微米，且小于该元件的厚度。

11.如权利要求9所述的内埋元件封装结构，其特征在于，更包括一线路基板，其中该第一介电层位于该线路基板上。

12.如权利要求9所述的内埋元件封装结构，其特征在于，该元件具有至少一接垫，该第二介电层具有一开孔以露出该至少一接垫，其中该图案化线路层自该元件的该至少一接垫延伸于该开孔中及该第二介电层上。

13.如权利要求9所述的内埋元件封装结构，其特征在于，该元件的底面直接连接该第一介电层。

14.如权利要求9所述的内埋元件封装结构，其特征在于，该元件的底面低于该第一表面。

15.如权利要求9所述的内埋元件封装结构，其特征在于，该第一介电层为不含玻纤的树脂材料。

16.一种内埋元件封装结构，包括：

一第一介电层，具有一第一表面；

一元件，设置于该第一介电层上，其中该元件的底面低于该第一表面；

一第二介电层，设置于该第一介电层上且覆盖该元件；以及

一图案化线路层，设置于该第二介电层上，该图案化线路层与该元件电性连接。