[发明专利]去膜机载片台及硅片加工设备在审
申请号: | 201811560737.3 | 申请日: | 2018-12-18 |
公开(公告)号: | CN109449108A | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 王强 | 申请(专利权)人: | 吉林华微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68;H01L21/683 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 许莉 |
地址: | 132013 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 升降机构 硅片 去膜 硅片加工设备 吸附机构 定位件 半导体材料加工设备 工作效率 滚轴 蓝膜 去除 吸附 穿过 | ||
本发明提供了一种去膜机载片台及硅片加工设备,涉及半导体材料加工设备技术领域,本发明提供的去膜机载片台包括吸附机构、第一升降机构、定位件和第二升降机构,吸附机构与第一升降机构连接,并在第一升降机构的带动下吸附硅片,定位件穿过第一升降机构与第二升降机构连接,并在第二升降机构的带动下对硅片进行定位。本发明提供的去膜机载片台能够有效限定硅片相对于滚轴的位置,使得各个硅片上的蓝膜均能够得到充分的去除,提高工作效率。
技术领域
本发明涉及半导体材料加工设备技术领域,尤其是涉及一种去膜机载片台及硅片加工设备。
背景技术
蓝膜经常使用在半导体材料的加工工序中,如硅片表面覆盖蓝膜后放置在HF蒸汽或HF溶液内,利用HF腐蚀二氧化硅层,腐蚀过后,被蓝膜保护的二氧化硅层保留下来,没有蓝膜覆盖位置的二氧化硅层被腐蚀掉。
传统去除蓝膜的方式是通过运输装置将硅片运输至具有粘性的滚筒下方,使用具有粘性的滚筒对硅片上的蓝膜进行去除。但是传统的去除方式在去除蓝膜前无法对硅片准确的进行定位,容易导致部分蓝膜无法去除,降低工作效率。
因此,如何提供一种能够有效的对硅片进行定位的去膜机载片台及硅片加工设备是本领域技术人员需解决的技术问题之一。
发明内容
本发明的目的在于提供一种去膜机载片台及硅片加工设备,能够有效限定硅片相对于滚轴的位置,使得各个硅片上的蓝膜均能够得到充分的去除,提高工作效率。
为实现上述目的,本发明提供以下技术方案:
第一方面,本发明提供一种去膜机载片台,包括吸附机构、第一升降机构、定位件和第二升降机构,所述吸附机构与所述第一升降机构连接,并在所述第一升降机构的带动下吸附硅片,所述定位件穿过所述第一升降机构与所述第二升降机构连接,并在所述第二升降机构的带动下对所述硅片进行定位。
进一步地,所述吸附机构上设有到位传感器,所述到位传感器用于采集所述硅片的到位信息。
进一步地,所述吸附机构包括托盘和真空泵,所述托盘上具有多个与所述真空泵连通的气孔,多个所述气孔用于吸附所述托盘。
进一步地,所述托盘用于吸附所述硅片的顶面上具有凹槽,所述凹槽与多个所述气孔连通。
进一步地,所述托盘的侧壁具有用于容纳至少部分所述定位件的容纳槽。
进一步地,所述第一升降机构包括第一升降气缸和底板,所述底板一侧通过多个支撑杆与所述第一升降气缸连接,另一侧与所述吸附机构连接。
进一步地,所述定位件包括穿过所述底板的第一定位杆和第二定位杆。
进一步地,所述第二升降机构包括第二升降气缸和底座,所述底座分别与所述第二升降气缸和所述定位件连接。
进一步地,还包括安装板,所述第一升降机构和所述第二升降机构均设于所述安装板上。
第二方面,本发明还提供一种硅片加工设备,包括第一方面中任一种所述的去膜机载片台。
本发明提供的去膜机载片台及硅片加工设备能产生如下有益效果:
本发明提供的去膜机载片台中,第一升降机构和第二升降机构分别用于带动吸附机构和定位件靠近或远离运输装置上的硅片。在上述去膜机载片台工作时,首先第二升降机构带动定位件靠近运输装置上的硅片,限定硅片相对于滚轴的位置,随后第一升降机构带动吸附机构靠近硅片,吸附机构吸附住硅片后,第二升降机构带动定位件远离硅片,具有粘性的滚筒将蓝膜去除,去除后吸附机构取消对硅片的吸附,第一升降机构带动吸附机构远离硅片。
相对于现有技术来说,本发明第一方面提供的去膜机载片台分别通过定位件和吸附机构对硅片进行定位,有效限定硅片相对于滚轴的位置,各个硅片上的蓝膜均能够得到充分的去除,提高工作效率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造