[发明专利]半导体结构的制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，包括：

提供一基底；

形成多个第一沟槽、多个第二沟槽、多个第一岛状结构和多个第二岛状结构，其中每个该第一岛状结构与每个该第二岛状结构通过该第一沟槽隔开，所述多个第一岛状结构通过该第二沟槽彼此隔开，以及所述多个第二岛状结构通过该第二沟槽彼此隔开；

共形地形成一第一介电层，其覆盖每个该第一沟槽的一侧壁及一底部，以及覆盖每个该第二沟槽的一侧壁和一底部；

形成一半导体层在该第一介电层上；

执行一氧化将该半导体层转化为在每个该第一沟槽及每个该第二沟槽中的一半导体氧化物层；以及

形成一第二介电层以填充所述多个第二沟槽。

2.如权利要求1所述的制备方法，其中所述多个第一岛状结构沿一第一方向排列形成多个第一行，所述多个第二岛状结构沿该第一方向排列形成多个第二行。

3.如权利要求2所述的制备方法，其中所述多个第一行及所述多个第二行沿着不同于该第一方向的一第二方向交替排列。

4.如权利要求3所述的制备方法，其中该第二方向垂直于该第一方向。

5.如权利要求1所述的制备方法，其中所述多个第一沟槽及所述多个第二沟槽彼此耦接以形成一栅格。

6.如权利要求1所述的制备方法，其中该第二沟槽的一宽度是该第一沟槽一宽度的至少三倍。

7.如权利要求1所述的制备方法，其中该第一沟槽的宽度小于30纳米。

8.如权利要求1所述的制备方法，其中该半导体层包括硅。

9.如权利要求1所述的制备方法，其中该半导体层的一厚度小于10纳米。

10.如权利要求1所述的制备方法，其中该半导体氧化物层填充每个该第一沟槽。

11.如权利要求1所述的制备方法，其中在每个该第一沟槽中形成该半导体氧化物层以减小每个该第一沟槽的一宽度，在每个该第二沟槽中形成该半导体氧化物层以减小每个该第二沟槽的一宽度。

12.如权利要求1所述的制备方法，其中该第二介电层填充具有该减小宽度的所述多个第一沟槽和具有该减小宽度的所述多个第二沟槽。

13.如权利要求1所述的制备方法，其中该第二介电层包括一可流动的介电材料。

14.如权利要求1所述的制备方法，其中该第一介电层及第二介电层包括一相同的材料。

15.如权利要求1所述的制备方法，其中该第一介电层及该第二介电层包括不同的材料。

16.如权利要求1所述的制备方法，还包括在形成该第二介电层之后进行一平坦化。

17.如权利要求16所述的制备方法，还包括在每个第一岛状结构及每个第二岛状结构上形成一图案化硬遮罩，其中在执行该平坦化之后，该图案化硬遮罩被曝光。

18.如权利要求16所述的制备方法，其中该图案化硬遮罩的一顶表面、该第一介电层的一最顶部及该第二介电层的一顶表面是共面的。