[发明专利]一种离子中和器电子源的制备方法有效
| 申请号： | 201811561355.2 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109637920B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 赵艳珩;沈旭东;王芮;袁璟春;王冰冰;侯信磊;孟昭红;刘鲁伟;王鹏康;卢希跃 | 申请（专利权）人： | 安徽华东光电技术研究所有限公司 |
| 主分类号： | H01J29/48 | 分类号： | H01J29/48;H01J9/18 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 马荣 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 离子 中和 电子 制备 方法 | ||
1.一种离子中和器电子源的制备方法，所述的离子中和器电子源包括控制极组件(11)和发射组件(12)，所述的控制极组件(11)设置控制极(1)、控制极绝缘陶瓷(2)；所述的发射组件(12)设置发射体(4)、发射体固定件(5、6)和发射体绝缘陶瓷(8)；所述的控制极组件(11)还设置转接杯形件(3)；
其特征在于：
所述的控制极组件(11)由控制极(1)、控制极绝缘陶瓷(2)和转接杯形件(3)焊接形成；
所述的发射组件(12)设置转接件(7)；所述的发射组件(12)由发射体(4)、发射体固定件(5、6)、转接件(7)和发射体绝缘陶瓷(8)焊接形成；
所述的控制极组件(11)中的转接杯形件(3)与发射组件(12)中的转接件(7)之间用激光焊接固定；
所述的制备方法过程如下：
1)、根据所要求的控制极电压及发射电流，计算发射体和控制极之间的理论距离；
2)、根据所要求的电压设计控制极绝缘陶瓷(2)和发射体绝缘陶瓷(8)的结构；
3)、设计控制极(1)和转接杯形件(3)的结构；
4)、设计发射体(4)、发射体固定件(5、6)及转接件(7)的结构；
5)、将控制极(1)、控制极绝缘陶瓷(2)和转接杯形件(3)按照控制极组件(11)的要求进行装配，用焊料片焊接；
6)、将发射体(4)、发射体固定件(5、6)、转接件(7)和发射体绝缘陶瓷(8)按照发射组件(12)的要求进行装配，用焊料片焊接；
7)、通过控制极组件(11)中的转接杯形件(3)与发射组件(12)中的转接件(7)配合，将控制极组件(11)与发射组件(12)组装在一起，通过控制极组件(11)中的转接杯形件(3)与发射组件(12)中的转接件(7)的相对移动实现电极间距(d)的控制；
8)、控制极组件(11)中的转接杯形件(3)与发射组件(12)中的转接件(7)之间用激光焊接固定。
2.按照权利要求1所述的离子中和器电子源的制备方法，其特征在于：所述的发射体绝缘陶瓷(8)与发射体固定件(5、6)的焊接面上设有一定区域的非金属化面层(9、10)结构。
3.按照权利要求1所述的离子中和器电子源的制备方法，其特征在于：所述的发射体固定件(5、6)的形状为小半环形。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽华东光电技术研究所有限公司，未经安徽华东光电技术研究所有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811561355.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高工作比纳米材料冷阴极电子枪
- 下一篇：多电极电子光学系统
