[发明专利]一种模拟开关电路

权利要求书

1.一种模拟开关电路，其特征在于，包括：开关管、控制电路、第一下拉电路以及电荷泵电路；其中：

所述电荷泵电路的控制端，和，所述第一下拉电路的控制端，均接收使能信号；

所述第一下拉电路的第二端接地；

所述第一下拉电路的第一端，所述控制电路的第一输入端，以及，所述开关管的第一端，均与所述模拟开关电路的输出端相连；

所述控制电路的第二输入端，和，所述开关管的第二端，均与所述模拟开关电路的输入端相连；

所述控制电路的输出端，和，所述开关管的第三端，均与所述电荷泵电路的输入端相连；

所述电荷泵电路的第一输出端与所述控制电路的控制端以及所述开关管的控制端相连；

所述开关管为控制端电位高于第二端电位时导通的开关管；

当所述使能信号为关断时，所述第一下拉电路的第二端电位为地电平，所述控制电路的输出端电位为地电平与所述模拟开关的输入端接收信号的电压值之间较低的值，将所述电荷泵电路的第一输出端电位下拉为所述较低的值，使所述开关管关断；

当所述使能信号为导通时，所述控制电路的输出端电位等于所述模拟开关电路的输入端接收信号的电压值，所述电荷泵电路正常工作且第一输出端电位等于所述模拟开关的输入端接收信号的电压值及预设电压之和，使所述开关管导通。

2.根据权利要求1所述的模拟开关电路，其特征在于，所述开关管为第一NMOS晶体管；

所述第一NMOS晶体管的栅极为所述开关管的控制端；

所述第一NMOS晶体管的漏极为所述开关管的第一端；

所述第一NMOS晶体管的源极为所述开关管的第二端；

所述第一NMOS晶体管的衬底为所述开关管的第三端。

3.根据权利要求1所述的模拟开关电路，其特征在于，所述第一下拉电路包括：第二NMOS晶体管；

所述第二NMOS晶体管的栅极为所述第一下拉电路的控制端；

所述第二NMOS晶体管的漏极为所述第一下拉电路的第一端；

所述第二NMOS晶体管的源极为所述第一下拉电路的第二端；

所述第二NMOS晶体管的衬底与所述电荷泵电路的第二输出端相连。

4.根据权利要求1所述的模拟开关电路，其特征在于，所述控制电路包括：第一低电压选择电路和连接电路；其中：

所述连接电路的控制端为所述控制电路的控制端；

所述第一低电压选择电路的第一输入端与所述连接电路的第一输入端相连，连接点为所述控制电路的第一输入端；

所述第一低电压选择电路的第二输入端与所述连接电路的第二输入端相连，连接点为所述控制电路的第二输入端；

所述第一低电压选择电路的输出端与所述连接电路的第三端相连，连接点为所述控制电路的输出端。

5.根据权利要求4所述的模拟开关电路，其特征在于，所述连接电路包括：第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管；

所述第三NMOS晶体管的漏极为所述连接电路的第二输入端；

所述第四NMOS晶体管的漏极为所述连接电路的第一输入端；

所述第三NMOS晶体管的源极和衬底，以及，所述第四NMOS晶体管的源极和衬底，均相连且连接点为所述连接电路的第三端；

所述第三NMOS晶体管的栅极与所述第四NMOS晶体管的栅极相连，连接点为所述连接电路的控制端。

6.根据权利要求4所述的模拟开关电路，其特征在于，所述第一低电压选择电路包括：第五NMOS晶体管和第六NMOS晶体管；

所述第五NMOS晶体管的漏极与所述第六NMOS晶体管的栅极相连，连接点为所述第一低电压选择电路的第二输入端；

所述第五NMOS晶体管的栅极与所述第六NMOS晶体管的漏极相连，连接点为所述第一低电压选择电路的第一输入端；

所述第五NMOS晶体管的源极和衬底，以及，所述第六NMOS晶体管的源极和衬底，均相连且连接点为所述第一低电压选择电路的输出端。