[发明专利]浅沟槽隔离工艺及浅沟槽隔离结构

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离工艺，其特征在于，包括：

在硅衬底表面依次淀积第一厚度的厚栅氧层和第二厚度的氮化硅层；

对所述厚栅氧层、氮化硅层和硅衬底进行处理以形成凹槽；

在所述凹槽中填充浅沟槽隔离介质，直至所述浅沟槽隔离介质覆盖所述第二厚度的氮化硅层之上达到第三厚度；

对所述浅沟槽隔离介质进行化学机械抛光处理，直到所述凹槽中的浅沟槽隔离介质与所述凹槽两侧的厚栅氧层的高度一致；以及

剥离所述氮化硅层，形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构中的所述厚栅氧层各个位置的厚度基本为所述第一厚度。

2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离工艺，其特征在于，所述将所述凹槽处的所述浅沟槽隔离介质进行化学机械抛光处理的步骤之后包括：

所述凹槽两侧的厚栅氧层的高度与所述凹槽中的浅沟槽隔离介质的最小高度之间的差值小于预设阈值。

3.如权利要求2所述的浅沟槽隔离工艺，其特征在于，所述对所述厚栅氧层、氮化硅层和硅衬底进行处理以形成凹槽包括：

对所述厚栅氧层、氮化硅层和硅衬底进行有源区光刻或刻蚀以形成所述凹槽。

4.如权利要求3所述的浅沟槽隔离工艺，其特征在于，所述凹槽的数量为多个，多个所述凹槽等间隔设置。

5.如权利要求4所述的浅沟槽隔离工艺，其特征在于，所述浅沟槽隔离介质为二氧化硅。

6.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构包括：硅衬底以及第一厚度的厚栅氧层，所述厚栅氧层淀积在所述硅衬底上表面，所述厚栅氧层和硅衬底中间隔形成多个凹槽，所述凹槽中填充有浅沟槽隔离介质，所述凹槽中的浅沟槽隔离介质与所述凹槽两侧的厚栅氧层的高度一致，所述浅沟槽隔离结构中的所述厚栅氧层各个位置的厚度基本为所述第一厚度。

7.如权利要求6所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述凹槽两侧的厚栅氧层的高度与所述凹槽中的浅沟槽隔离介质的最小高度之间的差值小于预设阈值。

8.如权利要求7所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于，多个所述凹槽等间隔设置。

9.如权利要求8所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述浅沟槽隔离介质为二氧化硅。