[发明专利]微孔型LED电极结构及其制备方法

说明书

本申请公开了一种微孔型LED电极结构及其制备方法，涉及LED半导体领域，包括：衬底、缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层、电流阻挡层、电流扩展层、微孔型透明绝缘层和电极层；电极层包括P电极以及与P电极电连接的P电极线、N电极以及与N电极电连接的N电极线；P电极通过过孔与P型半导体层电连接，N型电极与N型半导体层电连接；微孔型透明绝缘层包括多个第一微孔，P电极线通过第一微孔与电流扩展层电连接；微孔型透明绝缘层还包括多个第二微孔，N电极线通过第二微孔与N型半导体层电连接；P电极通过第一微孔定点向LED注入电流，N电极通过第二微孔定点向LED注入电流。如此，提升LED芯片的亮度。

技术领域

本申请涉及半导体LED技术领域，具体地说，涉及一种微孔型LED电极结构及其制备方法。

背景技术

目前LED(Light Emitting Diode，发光二极管)作为第三代照明器件，广泛地应用于日常照明、屏幕显示、生物医疗、农业等生产生活的方面。LED是利用GAN为主要材料，通过MOCVD设备在蓝宝石衬底或者硅衬底等衬底材料上制备而成。由于GAN材料具有性能好、可靠性高、耐高温、禁带宽度大等优点，因而由此制备出的LED具有很长的使用寿命。

目前LED从结构上来说主要可以分为三大类型：正装结构LED芯片、倒装结构LED芯片以及垂直结构LED芯片。目前市场上使用较为广泛的是正装结构LED芯片。由于人民生活质量的不断提升，对LED产品的需求也不断提高，目前来说如何有效的提升LED芯片的发光亮度、控制好LED生产成本、提升LED使用性能是LED行业技术人员面临的重要挑战。因此，LED行业技术人员需要从技术提示、结构优化、产能增加、新材料等方面进行积极探索，来提升LED芯片的发光亮度、控制LED的生产成本、提升LED的使用性能。

本发明主要是为了解决提升LED亮度这一技术难点，提供了一种微孔型LED电极结构及其制备方法。

发明内容

有鉴于此，本申请所要解决的技术问题是提供了一种微孔型LED电极结构及其制备方法，属于LED半导体领域。该微孔型LED电极结构可以实现定点的微孔电流注入，可以根据LED芯片设计的需求来控制电流的分布，有利于提高电流的扩展，同时也有利于减少电极对光的吸收以及减少N电极线的刻蚀面积，进而提升LED芯片的亮度。

为了解决上述技术问题，本申请有如下技术方案：

第一方面，一种微孔型LED电极结构，包括：

衬底、沿垂直于衬底所在平面的方向设置在所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层、电流阻挡层、电流扩展层、微孔型透明绝缘层和电极层；

所述电极层包括P电极以及与所述P电极电连接的至少两条P电极线、N电极以及与所述N电极电连接的N电极线，所述P电极和所述P电极线在所述衬底基板所在平面的正投影与所述N电极和所述N电极线在所述衬底基板所在平面的正投影不交叠，且所述N电极线在所述衬底基板所在平面的正投影位于两条所述P电极线之间；

所述P电极通过过孔与所述P型半导体层电连接，所述N型电极与所述N型半导体层电连接；

所述微孔型透明绝缘层包括多个第一微孔，所述第一微孔沿所述微孔型透明绝缘层的厚度方向贯穿所述微孔型透明绝缘层，所述P电极线通过所述第一微孔与所述电流扩展层电连接；

所述微孔型透明绝缘层还包括多个第二微孔，所述第二微孔沿所述微孔型透明绝缘层和所述电流阻挡层的厚度方向贯穿所述微孔型透明绝缘层、所述电流扩展层、所述电流阻挡层、所述P型半导体层和所述多量子阱层，所述N电极线通过所述第二微孔与所述N型半导体层电连接；

所述P电极通过所述第一微孔定点向所述LED注入电流，所述N电极通过所述第二微孔定点向所述LED注入电流。

可选地，其中：