[发明专利]一种用于矫正塑封平板翘曲的半导体装置及矫正方法在审
申请号: | 201811562108.4 | 申请日: | 2018-12-19 |
公开(公告)号: | CN109801859A | 公开(公告)日: | 2019-05-24 |
发明(设计)人: | 姚大平 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 朱静谦 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 塑封 矫正 承载区 半导体装置 承载结构 压制结构 压制端 翘曲 裸露 施加 芯片 集成电路芯片 先进封装技术 加热结构 加热升温 连通设置 平面设置 往返移动 真空通道 集成电路 承载 垂直 | ||
1.用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的半导体装置,其特征在于,包括:
承载结构(3),包括用于承载所述塑封平板(5)的承载区,所述承载区为平面设置;
真空通道,设于所述承载结构(3)上,且与所述承载区连通设置,用于对所述塑封平板(5)和所述承载区之间的间隙施加真空;
压制结构,设置于所述承载结构(3)上方且沿垂直于所述承载区方向往返移动,所述压制结构具有与所述塑封平板(5)对应设置且用于对所述塑封平板(5)无裸露芯片处施加矫正压力的压制端(4),所述压制端(4)与所述塑封平板(5)的接触面为平面;
加热结构,设于所述承载结构(3)和/或所述压制结构上,用于对所述塑封平板(5)加热升温。
2.根据权利要求1所述的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的半导体装置,其特征在于,所述压制端(4)为与所述塑封平板(5)周缘形状适配的环形结构,以对所述塑封平板(5)的周缘施加矫正压力。
3.根据权利要求1所述的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的半导体装置,其特征在于,所述真空通道为与所述承载区表面连通设置的沟槽和/或孔道,所述真空通道包括至少一个延伸至所述承载结构(3)外部设置的连接口。
4.根据权利要求3所述的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的半导体装置,其特征在于,所述真空通道为与所述承载区对应设置的沟槽。
5.根据权利要求4所述的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的半导体装置,其特征在于,所述沟槽包括若干直线流道和若干弧形流道,若干所述直线流道平行排布,相邻两个所述直线流道的首尾通过所述弧形流道连通。
6.根据权利要求5所述的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的半导体装置,其特征在于,所述沟槽还包括用于与真空系统连接的第一连接口以及用于流通惰性气体的第二连接口。
7.根据权利要求1所述的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的半导体装置,其特征在于,还包括设置于所述压制结构上、且套设在所述压制端(4)外侧的保护圈(2),所述压制端(4)对所述塑封平板(5)施加压力时,所述保护圈(2)套设于所述塑封平板(5)外缘以防止所述塑封平板(5)变形。
8.根据权利要求7所述的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的半导体装置,其特征在于,所述保护圈(2)靠近所述塑封平板(5)的一端为平面设置,且所述压制端(4)与所述保护圈(2)沿所述压制结构的移动方向的高度差小于所述塑封平板(5)的厚度。
9.根据权利要求8所述的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的半导体装置,其特征在于,所述保护圈(2)套设于所述塑封平板(5)外时与所述塑封平板(5)之间留有间隙。
10.根据权利要求9所述的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的半导体装置,其特征在于,所述间隙小于1毫米。
11.根据权利要求1所述的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的半导体装置,其特征在于,所述压制结构还包括设置于所述压制端(4)上方的压制台。
12.根据权利要求11所述的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的半导体装置,其特征在于,所述压制端(4)与所述压制台采用可拆卸的方式连接。
13.根据权利要求11所述的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的半导体装置,其特征在于,所述压制台上设置有若干用于在加热升温时,使所述塑封平板(5)的塑封材料中挥发出来的气体从压制空隙逃逸出去的通孔(6)。
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