[发明专利]肖特基二极管、NIPT95合金及肖特基二极管的制造方法在审
| 申请号： | 201811562125.8 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109585570A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 刘维;孟鹤;王品东;时新越 | 申请（专利权）人： | 吉林麦吉柯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47;H01L21/329;C22C5/04 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 唐维虎 |
| 地址： | 132000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第一导电类型 肖特基二极管 肖特基势垒层 合金 外延层 衬底 渗入 电子元器件 反向漏电流 制造过程 表面态 导电层 废片率 金属镍 金属钛 金属钼 覆盖 制造 金属 | ||
1.一种肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基二极管包括：
第一导电类型的衬底；
第一导电类型的外延层，覆盖在所述衬底上；
NIPT95合金，所述NIPT95合金渗入到所述第一导电类型的外延层中形成肖特基势垒层；
导电层，覆盖在所述肖特基势垒层上。
2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述衬底为N型重掺杂半导体，所述外延层为N型轻掺杂半导体。
3.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，在所述肖特基势垒层的边缘设置有P型半导体。
4.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基势垒二极管还包括：氧化层，所述氧化层设置在所述外延层和所述导电层之间，并与所述肖特基势垒层的边缘接触。
5.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述导电层包括：第一导电层、第二导电层和第三导电层，所述第一导电层覆盖在所述肖特基势垒层上，所述第二导电层覆盖在所述第一导电层上，所述第三导电层设置在所述第二导电层之上。
6.根据权利要求5所述的肖特基二极管，所述第一导电层为金属钛，所述第二导电层为金属镍，所述第三导电层为金属银。
7.一种NIPT95合金，其特征在于，应用于如权利要求1－6中任一项所述的肖特基二极管，所述NIPT95合金包括95％的PT和5％的NI，所述NIPT95合金用于渗入所述肖特基二极管中的外延层形成肖特基势垒层。
8.一种用于制造如权利要求1－6中任一项所述的肖特基二极管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在所述第一导电类型的衬底的上表面覆盖所述第一导电类型的外延层；
在所述外延层的上表面渗入所述NIPT95合金形成肖特基势垒层；
在所述肖特基势垒层的上表面上覆盖所述导电层。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述外延层的上表面渗入所述NIPT95合金形成所述肖特基势垒层，包括：
将所述NIPT95合金放置在所述外延层的上表面；
采用450℃氮氧合金加热所述外延层的上表面与所述NIPT95合金接触区域，使所述NIPT95合金渗入所述外延层的上表面内形成肖特基势垒层。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在将所述NIPT95合金放置在所述外延层的上表面之前，所述方法还包括：
将所述外延层的上表面进行除污处理。
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