[发明专利]适合规模化量产的MWT异质结硅太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种适合规模化量产的MWT异质结硅太阳电池，其特征在于：包括N型硅基片，所述N型硅基片正反两面均设有一层本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层；所述N型硅基片正面的本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层上设有N型非晶硅膜层，N型非晶硅膜层上设有TCO透明导电膜；所述N型硅基片反面的本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层上设有P型非晶硅膜层，P型非晶硅膜层上设有TCO透明导电膜；所述TCO透明导电膜，N型非晶硅膜层，本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层，N型硅基片，本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层，P型非晶硅膜层，以及TCO透明导电膜，从正面向反面方向依次层叠构成MWT异质结硅太阳电池片；

所述MWT异质结硅太阳电池片正面设有正面金属电极，背面设有背面金属电极和孔洞金属电极；MWT异质结硅太阳电池片上打有与正面金属电极数量和位置一一对应的孔洞，孔洞两端分别对应正面金属电极和孔洞金属电极，正面金属电极和孔洞金属电极连通；距离每个所述孔洞金属电极点外周0.1~1mm处刻蚀有连续闭合的绝缘划线，绝缘划线穿透电池片背面的TCO透明导电膜和P型非晶硅膜层。

2.如权利要求1所述的适合规模化量产的MWT异质结硅太阳电池，其特征在于：绝缘划线刻蚀深度为0.1um~10um。

3.如权利要求1所述的适合规模化量产的MWT异质结硅太阳电池，其特征在于：所述孔洞的横截面为圆形或者椭圆形，直径尺寸为0.05~1mm。

4.如权利要求1所述的适合规模化量产的MWT异质结硅太阳电池，其特征在于：所述本征非晶硅钝化层的厚度为5~50nm，氧化硅钝化层的厚度为1~50nm。

5.如权利要求1所述的适合规模化量产的MWT异质结硅太阳电池，其特征在于：所述P型非晶硅膜层和N型非晶硅膜层的厚度均为5~50nm。

6.一种适合规模化量产的MWT异质结硅太阳电池的制备方法，其特征在于，方法包括如下步骤：

（1）使用激光器在N型晶体硅片上开与正面金属电极数量和位置一一对应的孔洞；

（2）对打孔后的硅片进行前清洗与制绒；

（3）在前清洗与制绒后的硅片的正反两面分别沉积一层本征非晶硅钝化膜层或者分别制备一层薄的氧化硅钝化层；

（4）接着，在正面的本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层上沉积N型非晶硅层，在背面本征非晶硅钝化层或者氧化硅钝化层上沉积P型非晶硅层；

（5）在N型非晶硅层和P型非晶硅层上分别沉积TCO透明导电膜层；

（6）电池片背面制备孔洞金属电极和背面金属电极；

（7）电池片背面电极烘干后，再采用丝网印刷或者电镀的方法在电池片正面制备正面金属电极；

（8）对电池片进行烘干或者退火；

（9）在电池片背面的每个孔洞金属电极点附近进行连续闭合的激光绝缘划线刻蚀，刻蚀的深度穿透TCO透明导电膜层和P型非晶硅层。

7.如权利要求6所述的适合规模化量产的MWT异质结硅太阳电池的制备方法，其特征在于，孔洞金属电极点附近指的是绝缘划线距离孔洞金属电极点外周0.1~1mm刻蚀。

8.如权利要求6所述的适合规模化量产的MWT异质结硅太阳电池的制备方法，其特征在于，所述绝缘划线刻蚀的深度为0.1um~10um。

9.如权利要求6所述的适合规模化量产的MWT异质结硅太阳电池的制备方法，其特征在于，所述N型非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜厚度均为10~50nm。