[发明专利]一种IGBT模块

权利要求书

1.一种IGBT模块，包括外壳（1）和三块位于外壳（1）内从左到右间隔布置的DBC单元（2），每个DBC单元（2）均包括DBC基板（21）、两个IGBT芯片（22）和两个FRD芯片（23），所述IGBT芯片（22）的上表面具有栅极和发射极、下表面为集电极，所述FRD芯片（23）的上表面为阳极、下表面为阴极，所述DBC基板（21）的上表面具有铜箔层（3），其特征在于，每个铜箔层（3）上均开设有两个分割槽（4），两个分割槽（4）将铜箔层（3）分割成相互独立的铜箔一（31）、下桥铜箔（32）和上桥铜箔（33），所述铜箔一（31）、下桥铜箔（32）和上桥铜箔（33）从前到后依次间隔设置，三个铜箔一（31）之间、三个下桥铜箔（32）之间以及三个上桥铜箔（33）之间均通过沿横向布置的键合线串联；所述下桥铜箔（32）和上桥铜箔（33）均固定有所述IGBT芯片（22）和FRD芯片（23），并且与相应IGBT芯片（22）的下表面和相应FRD芯片（23）的下表面焊接，位于同一个铜箔上的IGBT芯片（22）的发射极与FRD芯片（23）的阳极通过沿横向布置的键合线连接；所述下桥铜箔（32）上的IGBT芯片（22）的发射极和FRD芯片（23）的阳极均通过沿纵向布置的键合线与铜箔一（31）电连接，所述上桥铜箔（33）上的 IGBT芯片（22）的发射极和FRD芯片（23）的阳极均通过沿纵向布置的键合线与下桥铜箔（32）电连接；

所述铜箔一（31）前端的中部具有缺口（31a），所述缺口（31a）内具有铜箔二（8），位于下桥铜箔（32）上的IGBT芯片（22）的栅极通过沿纵向布置的键合线与铜箔二（8）连接，并且三个铜箔二（8）通过沿横向布置的键合线依次串联，所述外壳（1）的前端具有下桥发射极端子（9）和下桥栅极端子（10），其中一铜箔二（8）通过沿纵向布置的键合线与下桥栅极端子（10）连接，其中一铜箔一（31）通过沿纵向布置的键合线与下桥发射极端子（9）连接；所述DBC基板（21）的上表面位于上桥铜箔（33）后侧的位置具有铜箔三（11），位于下桥铜箔（32）上的IGBT芯片（22）的栅极通过沿纵向布置的键合线与铜箔三（11）连接，并且三个铜箔三（11）通过沿横向布置的键合线依次串联，所述外壳（1）的后端具有上桥发射极端子（12）、上桥栅极端子（13）和上桥集电极端子（14），其中一铜箔三（11）通过沿纵向布置的键合线与上桥栅极端子（13）连接，其中一下桥铜箔（32）通过沿纵向布置的键合线与上桥发射极端子（12）连接，其中一上桥铜箔（33）通过沿纵向布置的键合线与上桥集电极端子（14）连接；

所述外壳（1）内设置有热敏电阻单元（15），所述外壳（1）的后端具有两个热敏电阻端子（16），所述热敏电阻单元（15）的一端通过键合线与其中一个热敏电阻端子（16）连接，所述热敏电阻单元（15）的另一端通过键合线与另一个热敏电阻端子（16）连接。

2.根据权利要求1所述的一种IGBT模块，其特征在于，所述铜箔层（3）呈矩形状，位于下桥铜箔（32）与上桥铜箔（33）之间的分割槽（4）包括从左到右依次设置的横槽一（41）、纵槽一（42）、横槽二（43）、纵槽二（44）、横槽三（45）、纵槽三（46）和横槽四（47），所述纵槽一（42）的前端连通横槽一（41）、后端连通横槽二（43），所述纵槽二（44）的前端连通横槽二（43）、后端连通横槽三（45），所述纵槽三（46）的前端连通横槽三（45）、后端连通横槽四（47）；下桥铜箔（32）上的IGBT芯片（22）位于下桥铜箔（32）的上表面的右侧并与横槽三（45）对应，下桥铜箔（32）上的FRD芯片（23）位于下桥铜箔（32）的上表面的左侧并与横槽二（43）对应，上桥铜箔（33）上的IGBT芯片（22）位于上桥铜箔（33）的上表面的左侧并与横槽二（43）对应，上桥铜箔（33）上的FRD芯片（23）位于上桥铜箔（33）的上表面的右侧并与横槽三（45）对应。