[发明专利]单片同层光电结构

权利要求书

1.一种单片同层光电结构，其特征在于，包括：衬底层、器件层、第一SiO₂层及第一氮化硅膜、第二氮化硅膜，所述衬底层、所述器件层、所述第一SiO₂层依次层叠设置；其中，

所述器件层包括：依次水平隔离设置于所述衬底层上的光电器件和CMOS器件；

所述光电器件包括：n++掺杂Si层、n++掺杂Ge层、光源子结构、波导结构、探测器子结构，且所述光源子结构、所述波导结构、所述探测器子结构相互隔离设置于所述n++掺杂Ge层上，所述n++掺杂Ge层设置于所述n++掺杂Si层上；

所述第一氮化硅膜包裹所述波导结构，所述第二氮化硅膜包裹所述探测器子结构。

2.根据权利要求1所述的单片同层光电结构，其特征在于，所述光源子结构与所述n++掺杂Ge层、所述n++掺杂Si层组成为光源，所述探测器子结构与所述n++掺杂Ge层、所述n++掺杂Si层组成探测器，所述光源和所述探测器均为PIN结构，且所述N区设置于所述P区下方。

3.根据权利要求1所述的单片同层光电结构，其特征在于，所述光源子结构和所述探测器子结构均包括：依次层叠设置的本征Ge层、p+掺杂Ge层、p++掺杂Si层。

4.根据权利要求1所述的单片同层光电结构，其特征在于，所述光源子结构、所述波导结构、所述探测器子结构之间设置有第三SiO₂层。

5.根据权利要求4所述的单片同层光电结构，其特征在于，所述波导结构上还包括有覆盖层。

6.根据权利要求5所述的单片同层光电结构，其特征在于，所述波导结构与所述覆盖层的高度和等于所述第三SiO₂层的高度。

7.根据权利要求5所述的单片同层光电结构，其特征在于，所述覆盖层为SiO₂覆盖层。

8.根据权利要求1所述的单片同层光电结构，其特征在于，所述CMOS器件包括：PMOS结构和NOMS结构，所述第一氮化硅膜还包裹所述PMOS结构的栅极，所述第二氮化硅膜还包裹所述NMOS结构的栅极。

9.根据权利要求1所述的单片同层光电结构，其特征在于，所述衬底层为Si衬底。