[发明专利]硅基光互连系统在审
| 申请号： | 201811563027.6 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111352185A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 薛磊;岳庆冬 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/122 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅基光 互连 系统 | ||
1.一种硅基光互连系统，其特征在于，包括：第一硅衬底、光电器件、CMOS器件及第一隔离层，所述光电器件和所述CMOS器件均设置于所述第一硅衬底之上，所述第一隔离层设置于所述第一硅衬底和所述光电器件之间，其中，
所述光电器件包括：依次层叠设置于所述第一衬底之上的第二硅衬底层、Ge籽晶层、P型Ge层、N型Ge层、N型Si层、第二隔离层，其中，所述P型Ge层、所述N型Ge层、所述N型Si层、所述第二隔离层被第一隔离槽和第二隔离槽隔离形成光源单元、光波导单元、探测器单元；
其中，所述光波导单元表面包裹第一应变层，所述探测器单元表面包裹第二应变层。
2.根据权利要求1所述的硅基光互连系统，其特征在于，所述光波导单元包括：位于所述第一隔离槽和第二隔离槽之间的P型Ge层。
3.根据权利要求2所述的硅基光互连系统，其特征在于，所述光波导单元为锥形过渡结构，所述锥形过渡结构包括：矩形结构和位于所述矩形结构两侧的梯形结构。
4.根据权利要求3所述的硅基光互连系统，其特征在于，所述梯形结构的两腰的线性为直线型、凹型或凸型。
5.根据权利要求1所述的硅基光互连系统，其特征在于，所述第一隔离槽和所述第二隔离槽中均设置有第三隔离层。
6.根据权利要求5所述的硅基光互连系统，其特征在于，所述光波导单元和所述第一应变层之间还具有覆盖层。
7.根据权利要求1所述的硅基光互连系统，其特征在于，所述第一应变层为氮化硅压应变层，所述第二应变层为氮化硅张应变层。
8.根据权利要求1所述的硅基光互连系统，其特征在于，所述CMOS器件的PMOS单元的栅极包裹有第三应变层，所述CMOS的NMOS单元的栅极包裹有第四应变层。
9.根据权利要8所述的硅基光互连系统，其特征在于，所述第一应变层与所述第三应变层的厚度相同，所述第二应变层和所述第四应变层的厚度相同。
10.根据权利要求8所述的硅基光互连系统，其特征在于，所述第三应变层为氮化硅压应变层，所述第四应变层为氮化硅张应变层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安科锐盛创新科技有限公司，未经西安科锐盛创新科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811563027.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于线性阵列分布式摄像机结构
- 下一篇：一种低温环境恒温发电机组保护箱
