[发明专利]一种反应烧结碳化硅微滤膜层的制备方法

权利要求书

1.一种反应烧结碳化硅微滤膜层的制备方法，其特征在于，包括：

（1）将碳化硅粉体、碳源、水性硅溶胶和水混合，得到水基碳化硅浆料；

（2）将所得水基碳化硅浆料涂覆于碳化硅膜支撑体表面，再经干燥后，在保护气氛中、1300℃～1600℃下热处理，得到所述碳化硅微滤膜层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述碳化硅粉体的中位粒径为0.1～10μm；所述碳源为有机碳源或/和无机碳源，所述有机碳源为蔗糖、淀粉和糊精中的至少一种，所述无机碳源为炭黑和石墨中的至少一种。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述碳源的加入量为碳化硅粉体重量的2～20wt%；所述水性硅溶胶中氧化硅含量在5～40wt%之间，所述水性硅溶胶的加入量为碳化硅粉体重量的5～120wt%。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述水性硅溶胶中胶粒大小为5nm～80nm。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述水基碳化硅浆料的粘度为0.1Pa·s～2.5Pa·s。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述碳化硅膜支撑体的制备方法，包括：

将亚微米级碳化硅粉或纳米级碳化硅粉中的一种、微米级碳化硅粉、碳粉、烧结助剂和有机粘结剂混合，得到混合粉体，所述亚微米级碳化硅粉或纳米级碳化硅粉中的一种和微米级碳化硅粉的质量比为1：（3～40），优选为1：（3～25）；

在所得混合粉体中加入塑化剂、润滑剂和水混炼后，得到水基碳化硅泥料；

将所得水基碳化硅泥料进行挤出成型并干燥，再升温至1750℃～2200℃烧结，得到所述碳化硅膜支撑体。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述微米级碳化硅粉的中位粒径为1.0～100μm；所述亚微米级碳化硅粉的中位粒径为0.1～1.0μm；所述纳米级碳化硅粉的中位粒径≥5 nm且＜100 nm。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述保护气氛为惰性气氛，优选为氩气。

9.一种根据权利要求1-8中任一项所述的制备方法制备的碳化硅微滤膜层，其特征在于，所述碳化硅微滤膜层的孔径为0.1～1μm，孔隙率为25%～45%。

10.根据权利要求9的碳化硅微滤膜层，其特征在于，所述碳化硅微滤膜层的厚度为20～200μm。