[发明专利]一种超声释放式Micro-LED巨量转移方法有效
| 申请号： | 201811564324.2 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109671651B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 陈云;施达创;陈新;刘强;高健;汪正平 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L33/00 |
| 代理公司： | 佛山市禾才知识产权代理有限公司 44379 | 代理人： | 刘羽波;资凯亮 |
| 地址： | 510006 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 转移基板 晶片 超声发生单元 弹性膜 超声换能器 对齐 释放式 超声 剥离 表面安装 常规激光 超声作用 激光加热 晶片背面 有效释放 重力作用 透明 热影响 上表面 下表面 形变 衬底 拱起 平放 与非 粘附 变形 激光 释放 脱离 | ||
1.一种超声释放式Micro-LED巨量转移方法，其特征在于，包括如下步骤，
A、转移准备，转移基板水平放置，转移基板的下表面富有弹性膜， Micro-LED晶片粘附在弹性膜的表面，在平放转移基板的上表面的位置设有超声发生单元，在该超声发生单元表面安装有超声换能器；
B、选择对齐，超声发生单元与转移基板上某处Micro-LED晶片对齐，通过超声换能器实现直接接触；
C、形变释放，超声作用在某些特定位置时，该处的弹性膜产生变形，在Micro-LED晶片背面拱起，使晶片脱离转移基板，在重力作用下落到目标衬底上；
D、持续释放，释放转移基板某处Micro-LED晶片后，超声发生单元移动到下一释放位置，与该位置上的Micro-LED晶片对齐，释放该处 Micro-LED晶片；
所述转移基板是激光透明或非透明基板，所述转移基板为刚性基板；
所述步骤A中，超声发生单元的功率为0.1~20 W；
所述步骤A中，超声换能器每次使晶片脱落一个,保证了晶片的转移精度，避免晶片一次脱落多个；
所述步骤A中，超声发生单元上超声换能器的间距远大于转移基板上Micro-LED晶片的间距，前者为后者的正整数倍；
超声发生单元上超声换能器可通过机械结构移动实现间距改变；
超声发生单元上超声换能器的间距与目标衬底上Micro-LED晶片安装位置的间距相等。
2.根据权利要求1所述的超声释放式Micro-LED巨量转移方法，其特征在于，所述步骤A中，同一转移基板上同时作用的超声发生单元的数量等于或大于1个。
3.根据权利要求1所述的超声释放式Micro-LED巨量转移方法，其特征在于，所述步骤A中，转移基板上晶片的几何尺寸为1~10μm。
4.根据权利要求1所述的超声释放式Micro-LED巨量转移方法，其特征在于，所述步骤A中，转移基板的厚度应小于或等于5mm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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