[发明专利]一种MEMS电容薄膜真空规

权利要求书

1.一种MEMS电容薄膜真空规，包括进气口(7)、感压薄膜(2)、固定电极、真空腔室(5)、上基底(3)、下基底(10)和引出电极(8)，其特征在于，所述固定电极包括上电极(4)与下电极(6)，上电极(4)或下电极(6)上设有与进气口(7)相对的开口；真空腔室(5)内被感压薄膜(2)分为上下两个空间；上基底(3)和下基底(10)与感压薄膜(2)相对的端面上分别放置上电极(4)与下电极(6)；所述感压薄膜(2)为包括岛膜以及平膜，平膜为圆形薄膜，其中，岛膜为平膜上下两侧对称设置的凸起膜；上电极(4)与下电极(6)大小与感压薄膜(2)大小一致。

2.根据权利要求1所述的MEMS电容薄膜真空规，其特征在于，所述感压薄膜(2)材料为基于浓硼掺杂单晶硅。

3.根据权利要求1所述的MEMS电容薄膜真空规，其特征在于，所述感压薄膜(2)采用各向异性腐蚀和自停止的工艺制作而成。

4.根据权利要求1所述的MEMS电容薄膜真空规，其特征在于，所述感压薄膜(2)与进气口(7)不相对的一侧镀有吸气剂薄膜(1)。

5.根据权利要求4所述的MEMS电容薄膜真空规，其特征在于，所述吸气剂薄膜(1)通过磁控溅射镀TiZrV薄膜获得。

6.根据权利要求1所述的MEMS电容薄膜真空规，其特征在于，还包括金属法兰(12)及壳体(13)和温度控制层(11)；真空腔室(5)置于壳体(13)内，壳体(13)安装在金属法兰(12)上；温度控制层(12)固定在壳体(13)内壁，用于控制真空规工作的温度范围。

7.根据权利要求4所述的MEMS电容薄膜真空规，其特征在于，真空规安装好之后在设定温度下烘烤，将吸气剂薄膜(1)激活。