[发明专利]一种改善晶硅双面电池小白点的变温变压热氧化工艺

权利要求书

1.一种改善晶硅双面电池小白点的变温变压热氧化工艺，其特征在于，包括以下步骤：

（1）上料：将刻蚀完成后的硅片插入石英舟里；所述石英舟内设有若干卡齿，所述卡齿内插入偶数张硅片，所述硅片的刻蚀面背靠背贴合；

（2）进舟：将插入石英舟的硅片送入炉管；炉管内的温度控制在700~750℃；

（3）升温：将炉管内温度升温至850~980℃，同时炉管内压力50~100mbar；

（4）吹扫：通入氮气，氮气流量为5~10slm，炉管内压力100~300mbar；

（5）抽真空：炉管内压力20~50mbar；

（6）氧化：降低温度至700~800℃，同时通入氮气2~4slm和氧气1~3slm进行氧化，炉管内压力100~400mbar；

（7）回压冷却：继续降温至600~650℃，通入氮气，炉管内压力1050~1060mbar；所述氮气的流量为8~15Slm；

（8）出舟：氧化完成后将石英舟从炉管里取出；

（9）下料：将石英舟的硅片进行卸片，即完成变温变压热氧化工艺。

2.根据权利要求1所述的一种改善晶硅双面电池小白点的变温变压热氧化工艺，其特征在于，步骤（3）中，升温时间控制在10~20min。

3.根据权利要求1所述的一种改善晶硅双面电池小白点的变温变压热氧化工艺，其特征在于，步骤（4）中，所述氮气的通入时间5~10min。

4.根据权利要求1所述的一种改善晶硅双面电池小白点的变温变压热氧化工艺，其特征在于，步骤（5）中，抽真空时间控制在5~10min。

5.根据权利要求1所述的一种改善晶硅双面电池小白点的变温变压热氧化工艺，其特征在于，步骤（6）中，通气时间控制在10~20min。

6.根据权利要求1所述的一种改善晶硅双面电池小白点的变温变压热氧化工艺，其特征在于，步骤（7）中，通气时间为3~8min。