[发明专利]一种微带高低通型数字移相器结构

权利要求书

1.一种微带高低通型数字移相器结构，其特征在于：该结构包括第一单刀双掷开关电路（S1）、第二单刀双掷开关(S2)、高通滤波器电路101和低通滤波器102电路，其中：

所述第一单刀双掷开关电路（S1）包括：开关管M1、开关管M2、开关管M3、开关管M4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4，所述电阻阻值相等，其中：第一单刀双掷开关电路（S1）是三端口网络，它的输入端与电容（C1）和第二微带线（L2）相连，输出端一端与低通滤波器电路102的输入端相连，另一端与高通滤波器电路101的输入端相连。

2.所述高通滤波器电路101包括：第一微带线(L1)、第一电容（C1）、第二电容（C2），其中：第一微带线（L1）位于第一单刀双掷开关(S1)和第二单刀双掷开关（S2）的节点和地平线之间，第一电容（C1）一端与移相器的输入端相连，另一端与第一单刀双掷开关（S1）的输入端相连，第二电容（C2）一端与移相器的输出端相连，另一端与第二单刀双掷开关（S2）的输出端相连；

所述低通滤波器电路102包括：第二微带线(L2)、第三微带线（L3）、第三电容（C3），其中：第三电容（C3）位于第一单刀双掷开关(S1)和第二单刀双掷开关（S2）的节点和地平线之间，第二微带线（L2）一端与移相器的输入端相连，另一端与第一单刀双掷开关（S1）的输入端相连，第三微带线（L3）一端与移相器的输出端相连，另一端与第二单刀双掷开关（S2）的输出端相连；

所述第二单刀双掷开关电路（S2）包括：开关管M5、开关管M6、开关管M7、开关管M8、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8.所述电阻阻值相等，其中：第二单刀双掷开关电路（S2）是三端口网络，它的输出端与电容（C2）和第三微带线（L3）相连，输入端一端与低通滤波器电路102的输出端相连，另一端与高通滤波器电路101的输出端相连。

3.根据权利要求1所述的一种微带高低通型数字移相器结构，其特征在于：所述第一单刀双掷开关电路(S1)和第二单刀双掷开关(S2)，两者协同工作以选择高通滤波器电路和低通滤波器电路其中之一作为信号的传输路径。

4.根据权利要求1所述的一种微带高低通型数字移相器结构，其特征在：所述第二单刀双掷开关电路（S1）和第二单刀双掷开关电路（S2）中开关管为砷化镓pHEMT工艺场效应管。

5.根据权利要求1所述的一种微带高低通型数字移相器结构，其特征在于：所诉第一微带线（L1）、第二微带线（L2）、第三微带线（L3）均为感性阻抗微带线，而且是宽度相同的连续传输线。

6.根据权利要求1所述的一种微带高低通型数字移相器结构，其特征在于：所述第二微带线（L2）与第三微带线(L3)为相等的两条传输线，所述电容（C1）和电容（C2）为两个相等的电容。

7.根据权利要求1所述的一种微带高低通型数字移相器结构，其特征在于：所述第一微带线（L1）是通过金属过孔接地的方式来连至地低电平。

8.根据权利要求1所述的一种微带高低通型数字移相器结构，其特征在于：所述微带高低通型数字移相器的工作频率为X波段。