[发明专利]基于液晶作为结晶助剂的钙钛矿发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.基于液晶作为结晶助剂的钙钛矿发光二极管，其特征在于，从下到上依次设置的衬底层(1)，阳极层(2)，空穴传输层(3)，钙钛矿发光层(4)，电子传输层(5)以及阴极(6)；阳极层(2)与阴极(6)之间通过外加电源(7)电连通；所述钙钛矿发光层(4)由液晶掺杂于钙钛矿溶液中所得的溶液制成，液晶与钙钛矿溶液的体积掺杂比例为5％-15％；所述液晶的分子结构式为

2.根据权利要求1所述的基于液晶作为结晶助剂的钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述液晶是包含溶剂化合物在内的一种或多种化合物形成的一种能够使光通过的液态晶体。

3.根据权利要求1所述的基于液晶作为结晶助剂的钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述阳极层(1)的厚度为100-200nm；所述空穴传输层(3)的厚度为40-80nm，所述钙钛矿发光层(4)的厚度为50-100nm，所述电子传输层(5)的厚度为40-80nm，所述阴极(6)的厚度为100-200nm。

4.根据权利要求1所述的基于液晶作为结晶助剂的钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述阳极层(2)由无机金属氧化物薄膜、具有高功函数的金属薄膜或导电聚合物材料中的一种制成；所述阴极(6)包括阴极层和缓冲层，所述阴极层由金属氧化物薄膜或金属薄膜制成，缓冲层为无机化合物薄膜或具有高的最低未占分子轨道的有机化合物薄膜。

5.根据权利要求1所述的基于液晶作为结晶助剂的钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述电子传输层(5)由4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、2-(4-二苯基)-5-(4-叔丁苯基)-1,3,4-噁二唑、噁二唑类电子传输材料或咪唑类电子传输材料中的任意一种或者多种的组合。

6.根据权利要求1所述的基于液晶作为结晶助剂的钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述钙钛矿溶液由具有杂化ABX3型立方晶系结构的钙钛矿溶解制成，其中：A为有机胺基团；B为第四主族金属；X为一元卤族元素或多元卤族元素的组合。

7.如权利要求1所述的基于液晶作为结晶助剂的钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)选取基板，基板包括衬底层和阳极层，依次采用洗涤剂、丙酮、去离子水以及异丙醇溶液对衬基板进行超声清洗；

2)在干燥处理后的基板的阳极层上旋涂空穴传输层，然后退火处理得到基片；

3)将基片传入手套箱中，在基片上旋涂掺杂液晶的钙钛矿溶液，然后进行退火处理；

4)将退火处理后的基片传入真空蒸发室，依次按照二极 管器件结构蒸镀电子传输层、阴极层以及缓冲层。

8.根据权利要求7所述的基于液晶作为结晶助剂的钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，步骤2)中旋涂转速为5000rpm，旋涂时间为30s，退火处理温度为120℃，退火处理时间为10min。

9.根据权利要求7所述的基于液晶作为结晶助剂的钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，步骤3)中旋涂转速为2000-5000rpm，旋涂时间为60s，退火处理温度为100℃，退火处理时间为10min。