[发明专利]在待处理对象表面上注入离子的方法及实现该方法的装置

权利要求书

1.一种用于在放置于真空室(20)中的待处理对象(24)的表面上注入单电荷或多电荷离子的方法，该方法包括同时包含以下项的步骤：

将由离子源(26)产生的离子束(30)注射到所述真空室(20)中，并将该离子束(30)导向所述待处理对象(24)的表面，以及

通过产生在所述真空室(20)中传播的第一紫外线辐射(36)的第一紫外线辐射源(32)照射所述待处理对象(24)的表面，其中所述第一紫外线辐射(36)从残留在所述真空室(20)的气氛中的原子和分子提取电子，并且其中所述电子与位于所述待处理对象(24)的表面上的离子复合。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子源(26)是电子回旋共振型离子源。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述离子注入过程期间，将气体注射到所述真空室中。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述离子注入过程期间，将气体注射到所述真空室中。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所注射的气体是惰性气体。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所注射的气体是惰性气体。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述真空室(20)内的气压在10⁴Pa与10^-4Pa之间。

8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述真空室(20)内的气压在10⁴Pa与10^-4Pa之间。

9.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述真空室(20)内的气压在10⁴Pa与10^-4Pa之间。

10.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述真空室(20)内的气压在10⁴Pa与10^-4Pa之间。

11.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述真空室(20)内的气压在10⁴Pa与10^-4Pa之间。

12.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述真空室(20)内的气压在10⁴Pa与10^-4Pa之间。

13.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述真空室(20)内的气压在10^-2Pa与10^-4Pa之间。

14.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，其特征在于，通过产生第二紫外线辐射(46)的第二紫外线辐射源(42)照射所述待处理对象(24)的表面，所述第二紫外线辐射(46)以与所述第一紫外线辐射(36)形成一角度的方向在所述真空室(20)中传播。

15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待处理对象(24)由不导电或半导电的材料制成。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，制造所述待处理对象(24)的材料选自天然和合成蓝宝石、矿物玻璃、聚合物、以及陶瓷。

17.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，制造所述待处理对象(24)的材料是导电材料。