[发明专利]一种太阳能电池板及其制备方法在审
申请号: | 201811567196.7 | 申请日: | 2018-12-19 |
公开(公告)号: | CN109686800A | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
发明(设计)人: | 张晓维;章志斌 | 申请(专利权)人: | 广东汉能薄膜太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0463 | 分类号: | H01L31/0463;H01L31/18 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 李文博 |
地址: | 517000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池板 光电转化层 第二电极 第一电极 衬底 排布 制备 贯穿 太阳能发电技术 依次层叠 单电池 电极 短路 刻划 报废 | ||
1.一种太阳能电池板,其特征在于,包括:衬底,以及依次层叠设置在所述衬底上的第一电极层、光电转化层和第二电极层,以及沿第一方向依次排布的N组沟槽,N大于或等于1;
每一组所述沟槽包括沿所述第一方向依次排布的非异常的第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽,其中,所述非异常的第一沟槽贯穿所述第一电极层,所述第二沟槽贯穿所述光电转化层,所述第三沟槽贯穿所述光电转化层和所述第二电极层;
N组所述沟槽中的至少一组沟槽中还包括异常的第一沟槽,所述异常的第一沟槽位于所在组中所述非异常的第一沟槽和所述第二沟槽之间。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池板,其特征在于,在同组所述沟槽中,所述异常的第一沟槽与所述非异常的第一沟槽之间的间距为40-100μm。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池板,其特征在于,在同组所述沟槽中,所述第二沟槽与所述异常的第一沟槽之间的间距为40-100μm。
4.根据权利要求1或2所述的太阳能电池板,其特征在于,在同组所述沟槽中,所述第二沟槽与所述第三沟槽之间的间距为40-100μm。
5.一种太阳能电池板的制备方法,其特征在于,所述太阳能电池板通过N组沟槽被分割为沿第一方向依次串联连接的多个单电池,N大于或等于1;所述制备方法包括:
在衬底上形成第一电极层;
在所述第一电极层上形成沿第一方向依次排布的第一沟槽;
检查每一条所述第一沟槽是否具有异常,若至少一条所述第一沟槽具有异常,则在所述第一电极层上,将每一条异常的第一沟槽沿与所述第一方向相反的方向平移第一预设距离后,重新刻划所述第一沟槽,以获得非异常的第一沟槽;
在所述第一电极层上形成所述光电转化层,并在所述光电转化层的预设位置处形成第二沟槽,所述预设位置是指:在所述异常的第一沟槽沿所述第一方向平移第二预设距离后所到达的位置,以及在所述非异常的第一沟槽沿所述第一方向平移所述第二预设距离后所到达的位置;
在所述光电转换层上形成第二电极层,并在所述第二电极层和所述光电转化层上形成所述第三沟槽。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池板的制备方法,其特征在于,
所述第一预设距离为40-100μm。
7.根据权利要求5所述的太阳能电池板的制备方法,其特征在于,
所述第二预设距离为40-100μm。
8.根据权利要求5所述的太阳能电池板的制备方法,其特征在于,各组所述沟槽中,所述第三沟槽设置在所述第二沟槽沿第一方向平移第三预设距离后所到达的位置。
9.根据权利要求7所述的太阳能电池板的制备方法,其特征在于,
所述第三预设距离为40-100μm。
10.根据权利要求5所述的太阳能电池板的制备方法,其特征在于,所述第一预设距离为65-80μm;所述第二预设距离为65-80μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的