[发明专利]LDMOS器件及其形成方法、半导体器件的形成方法

说明书

本发明提供一种LDMOS器件及其形成方法、半导体器件的形成方法，LDMOS器件包括：位于漂移区内的漏区；位于体区内的源区，基底暴露出所述源区表面，且所述源区紧挨栅极结构，所述源区的掺杂类型与漏区的掺杂类型相同；位于所述体区内且紧挨所述源区的体接触区，所述基底暴露出所述体接触区表面，且所述体接触区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相同；位于所述体区内且位于所述体接触区下方的击穿调节掺杂区，所述击穿调节掺杂区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相同，所述击穿调节掺杂区适于提高所述体区与漂移区之间的抗穿通能力。本发明在体接触区与体区之间设置有击穿调节掺杂区，提高体区与漂移区之间的抗穿通能力。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种LDMOS器件及其形成方法、半导体器件的形成方法。

背景技术

电力电子系统的小型化、集成化是功率半导体器件的一个重要研究方向。智能功率集成电路(Smart Power Integrated Circuit，SPIC)或高压集成电路(High VoltageIntegrated Circuit，HVIC)能够将等低压电路和功率器件集成在同一个芯片上，其中，低压电路可以实现保护、控制、检测或驱动等功能，这样不仅缩小了系统体积，提高了系统可靠性。

功率器件主要包括垂直双扩散场效应管(Vertical Double-Diffused MOSFE，VDMOST)和横向双扩散场效应管(Lateral Double-Diffused MOSFET，LDMOS)两种类型的场效应晶体管。其中，相较于垂直双扩散场效应管，横向双扩散场效应管具有诸多优点，例如，LDMOS器件具有更好的热稳定性和频率稳定性、更高的增益和耐久性、更低的反馈电容和热阻，以及恒定的输入阻抗和更简单的偏流电路。

然而，现有技术中的LDMOS器件的电学性能仍有待提高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种LDMOS器件及其形成方法、半导体器件的形成方法，改善LDMOS器件的穿通击穿(punch through breakdown)问题，提高LDMOS器件的电学性能。

为解决上述问题，本发明提供一种LDMOS器件，包括：基底，所述基底上形成有栅极结构；位于所述栅极结构一侧的基底内的漂移区，所述漂移区的掺杂类型为P型掺杂或者N型掺杂；位于所述漂移区内的漏区，所述漏区与漂移区的掺杂类型相同，且所述基底暴露出所述漏区表面；位于所述栅极结构另一侧的基底内的体区，所述体区的掺杂类型与漂移区的掺杂类型不同；位于所述体区内的源区，所述基底暴露出所述源区表面，且所述源区紧挨所述栅极结构，所述源区的掺杂类型与所述漏区的掺杂类型相同；位于所述体区内且紧挨所述源区的体接触区，所述基底暴露出所述体接触区表面，且所述体接触区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相同；位于所述体区内且位于所述体接触区下方的击穿调节掺杂区，所述击穿调节掺杂区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相同，所述击穿调节掺杂区适于提高所述体区与漂移区之间的抗穿通能力。

本发明还提供一种LDMOS器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构一侧的基底内形成有漂移区，所述栅极结构另一侧的基底内形成有体区，所述漂移区的掺杂类型为P型掺杂或者N型掺杂，所述体区的掺杂类型与漂移区的掺杂类型不同；在所述漂移区内形成漏区，所述漏区与漂移区的掺杂类型相同；在所述体区内形成源区，所述源区紧挨所述栅极结构，且所述源区的掺杂类型与所述漏区的掺杂类型相同；在所述体区内形成紧挨所述源区的体接触区，且所述体接触区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相同；在所述体区内形成击穿调节掺杂区，所述击穿调节掺杂区位于所述体接触区下方，且所述击穿调节掺杂区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相同，所述击穿调节掺杂区适于提高所述体区与漂移区之间的抗穿通能力。