[发明专利]一种环形器保护系统及控制方法在审
申请号: | 201811567475.3 | 申请日: | 2018-12-20 |
公开(公告)号: | CN109666924A | 公开(公告)日: | 2019-04-23 |
发明(设计)人: | 黄翀;唐跃强 | 申请(专利权)人: | 长沙新材料产业研究院有限公司 |
主分类号: | C23C16/517 | 分类号: | C23C16/517;C23C16/27;C23C16/52;C23C16/54 |
代理公司: | 长沙楚为知识产权代理事务所(普通合伙) 43217 | 代理人: | 陶祥琲 |
地址: | 410205 湖南省长沙市*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微波电源 环形器 控制中心 反射微波功率 温度测量装置 测量装置 供电装置 体内 匹配 微波 测量 接收反馈信号 微波反射功率 系统安全性 反馈 安全使用 发送控制 反射微波 工作平台 合成设备 控制指令 设备反应 实时测量 输出功率 微波负载 设备腔 工作台 腔体 判定 供电 发现 | ||
1.一种环形器保护系统,其特征在于,包括:温度测量装置、反射微波功率测量装置、微波电源供电装置和控制中心;
所述温度测量装置用于测量MPCVD合成设备腔体内部工作平台的温度并将温度转换成信号反馈给控制中心;
所述反射微波功率测量装置用于测量反射微波功率并将其转换成信号反馈给控制中心;
所述控制中心包括控制计算机和信号接收处理模块;所述控制中心与温度测量装置以及反射微波功率测量装置分别相连,用于接收温度测量装置和反射微波功率测量装置的反馈信号,反馈信号经信号接收处理模块处理后,由控制计算机向各器件发送控制信号或控制指令;
所述微波电源供电装置与控制中心连接,用于在MPCVD的反应腔体中微波负载匹配判定为异常时,降低微波电源的输出功率或者切断微波电源供电。
2.根据权利要求1所述的环形器保护系统,其特征在于,
所述温度测量装置为红外测温仪。
3.根据权利要求1所述的环形器保护系统,其特征在于,
所述反射微波功率测量装置为功率计或定向耦合器。
4.根据权利要求1所述的环形器保护系统,其特征在于,
所述环形器保护系统还包括反射微波吸收装置,所述的反射微波吸收装置与反射微波功率测量装置连接,用于吸收通过反射微波功率测量装置测量之后的反射微波。
5.根据权利要求4所述的环形器保护系统,其特征在于,
所述的反射微波吸收装置为水负载。
6.权利要求1~5任意一项所述环形器保护系统的控制方法,其特征在于,其是一种用于MPCVD合成设备合成过程的环形器保护系统的控制方法,具体如下:
当温度测量装置检测到MPCVD合成设备腔体内部工作平台一段时间内温度变化超过第一温度预警值但低于第一温度安全值;或者,当微波反射功率测量装置检测到微波反射功率超过第一微波反射功率预警值但低于第一微波反射功率安全值时;所述温度测量装置或者微波反射功率测量装置反馈信号给控制中心,控制中心发送控制指令控制微波电源供电装置将微波电源输出功率降低至第一安全输出功率以下;
当温度测量装置检测到MPCVD合成设备腔体内部工作平台一段时间内温度变化超过第一温度安全值;或者,当微波反射功率测量装置检测到微波反射功率超过第一微波反射功率安全值时;所述温度测量装置或者微波反射功率测量装置反馈信号给控制中心,控制中心发送控制信号控制微波电源供电装置断开,切断微波电源供电,以保护环形器的安全。
7.根据权利要求6所述环形器保护系统的控制方法,其特征在于,合成过程中的第一温度预警值为50℃,第一温度安全值为100℃;第一微波反射功率预警值为微波输出功率的5%,第一波反射功率安全值为微波输出功率的10%,第一安全输出功率为1kw。
8.权利要求1~5任意一项所述环形器保护系统的控制方法,其特征在于,是一种用于MPCVD合成设备启/停过程的环形器保护系统的控制方法,具体如下:
当温度测量装置检测到MPCVD合成设备腔体内部工作平台一段时间内温度变化超过第二温度预警值但低于第二温度安全值;或者,当微波反射功率测量装置检测到微波反射功率超过第二微波反射功率预警值但低于第二微波反射功率安全值时;所述温度测量装置或者微波反射功率测量装置反馈信号给控制中心,控制中心发送控制指令控制微波电源供电装置将微波电源输出功率立即降低至第二安全输出功率以下;
当控制中心通过温度测量装置检测到MPCVD合成设备腔体内部工作平台一段时间内温度变化超第二温度安全值;或者,当微波反射功率测量装置检测到微波反射功率超过第二微波反射功率安全值时;所述温度测量装置或者微波反射功率测量装置反馈信号给控制中心,控制中心发送控制信号控制微波电源供电装置断开,切断微波电源供电,以保护环形器的安全。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的